米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)---- （ビジネスワイヤ） -- 最高の信頼性を誇る高圧（HV）窒化ガリウム（GaN）半導体の設計・製造をリードするトランスフォームは本日、最新の半導体・電子部品の世界的正規販売代理店であるマウザー・エレクトロニクスとの世界的販売店契約を締結したことを発表しました。マウザーは本契約に基づき、トランスフォームのJEDECおよびAEC-Q101準拠GaN FETと評価ツールを販売します。
現在、マウザーは、トランスフォームの900 V TO-220、650 V TO-247およびTO-220 GaN FETなどのデバイスを販売しています。これらのデバイスは、低クロスオーバー損失、低ゲート電荷、小逆回復電荷といった特性を持ち、シリコンカーバイド（SiC）と類似したフィールド信頼性とシリコンMOSFETよりも優れた性能を提供します。他社の同等のGaNトランジスタと比べ、トランスフォームのFETは、業界最高の閾値電圧（4V）とゲート・ロバストネス（定格±20V）を実現します。
また、トランスフォームの車載認定GaN FETも提供可能であり、これには、AEC-Q101認定を得た業界初のGaNソリューションであるTPH3205WSBQAや、業界初の定格温度摂氏175度のAEC-Q101準拠デバイスであるTP65H035WSQAが含まれます。非車載用途同様、650 V GaN FETを使用した車載電力系統は、類似のシリコンベースのソリューションと比べて、電力密度を最大40%改善し、システム・コスト全体を20%も低減します。
最後になりますが、マウザーは、トランスフォームの評価プラットフォームをストックしており、これにより設計者はスイッチングの特性や効率を調査できます。このようなキットは、インバーターや、ハーフブリッジ昇降圧（スルーホールおよびSMDソリューション）、ブリッジレストーテムポールPFCなどの様々な電力系統トポロジーに対応しています。また、様々な電力定格にも対応しています。例としては、1.2kWおよび2.5kWのハーフブリッジ評価プラットフォームや2.5kWおよび4kWのブリッジレストーテムポールPFC評価プラットフォームが挙げられます。
マウザー・エレクトロニクスについて
マウザー・エレクトロニクスは、バークシャー・ハサウェイのグループ企業であり、受賞歴を有する半導体および電子部品の正規代理店であり、提携メーカーの新製品を電子設計技術者およびバイヤーへいち早く届けることに注力しています。マウザーのウェブサイトのMouser.comは、多言語・多通貨に対応し、750社を超えるメーカーの500万点以上の製品を揃えています。マウザーは、世界26カ所のサポート拠点からクラス最高のカスタマーサービスを提供し、テキサス州ダラス南部にある75万平方フィートの最新の施設から、223カ国63万人を超えるお客さまに向けて製品を提供しています。詳細情報については、www.mouser.comをご覧ください。
トランスフォームについて
トランスフォームは、高圧電力変換用途向けに最高の性能と信頼性を備えた650Vおよび900V GaN半導体の設計・製造を行っています。最大規模のIPポートフォリオ（交付済み・申請中の特許は世界で1000件超）を持つトランスフォームは、業界初のJEDECおよびAEC-Q101準拠GaN FETを生産しています。これは、設計・製作からデバイス、応用サポートに至るまであらゆる段階でイノベーションを可能にする垂直統合ビジネスアプローチによるものです。トランスフォームは、シリコンの限界を超えたパワーエレクトロニクスの原動力です。ウェブサイト：transphormusa.com ツイッター：@transphormusa.com
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