新しい表面実装デバイスは多様なアプリケーションでの信頼性のある高電圧GaN機能への関心の高まりに応える
米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 最高の信頼性の高電圧(HV)窒化ガリウム(GaN)半導体の設計・製造でリードするトランスフォームは本日、当社初の第3世代PQFN88トランジスターを発表しました。新しい650 VデバイスはTP65H070LSG（ソースタブ）およびTP65H070LDG（ドレインタブ）という2バージョンで提供し、オン抵抗は72ミリオームとなります。
当社第3世代プラットフォームの名だたる信頼性を強化
2018年6月に投入したトランスフォームの第3世代デバイスは最高の品質および信頼性（Q+R）のGaN FET市販製品となりました。カスタムデザインの低電圧MOSFETをこのGaN FETと併用することで、下記が実現します。
スイッチングの低ノイズ化
最小限の外部回路で電流レベル向上時の性能向上
ノイズイミュニティーの向上（閾値電圧4 V）
ゲート堅牢性の向上（+/- 20 V時）
第3世代のドレイン／ソースPQFN88パッケージ製品は、ボードレベルの信頼性（BLR）を向上させるためのピンが拡大されており、多層プリント基板（PCB）設計の信頼性を高めます。またドレイン／ソースタブ構成の機能を提供することで、ハイサイドスイッチとローサイドスイッチの両ロケーションに対応できます。これにより大型パッドを非スイッチングノードに半田付けした場合に放射イミュニティーが向上します。さらに、PQFN88デバイスを既存のGen III TO-XXX FETに追加することで、エンジニアはトランスフォームの最新技術を使用して、GaNを駆使した表面実装アプリケーションを追求する機会が得られます。
トランスフォームの世界技術マーケティング・北米セールス担当バイスプレジデントのPhilip Zukは、次のように述べています。｢当社は一貫して電力密度の向上を実現しながら、GaN FETの信頼性向上に傾注しています。高電圧GaN技術への市場の関心が高まり続けており、当社はお客さまの潜在的アプリケーションに適合するデバイスオプションを有力な助っ人として各社に提供したいとも考えています。こうした目的で、72ミリオームのソース／ドレインPQFN88デバイスの投入によって、当社は現在の製品ファミリーを拡大しながら、3つの目標すべてを達成できます。｣
高電圧GaNエレクトロニクスの採用率は上昇中です。実際、トランスフォームは多様な末端製品（例えば、サーバーと産業用電源、ゲーム用PCサプライ、携帯型太陽光発電機など）を手掛ける顧客数社を発表しており、これは本技術の価値提案が優れていることを証明しています。
提供・価格・サポートについて
650 V FETのTP65H070LSGとTP65H070LDG（72 mΩ）は現在、1000個当たり7.47米ドルで提供中です。下記の設計サポートリソースをご利用いただけます。
TP65H070Lシリーズデータシート
TP65H070LシリーズSPICEモデル
1.2 kWハーフブリッジバック／ブースト評価キット[TDHBG1200DC100-KIT]
TP65H070Lハーフブリッジドーターカード[TDHB-65H070-DC]
トランスフォーム製GaN FET向け推奨外部回路に関するアプリケーションノート
その他のアプリケーションノートとデザインガイドはデバイス製品のページ（TP65H070LSGとTP65H070LDG）でご覧いただけます。
トランスフォームについて
トランスフォームは高電圧電力変換用途向けに、最高の性能と信頼性を備えた650Vおよび900VのGaN半導体の設計と製造を行っています。最大のIPポートフォリオ（1000件超の登録特許と出願特許）を保有するトランスフォームのデバイスは、JEDECおよびAEC-Q101に準拠した業界初のGaN FETとなっています。
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