東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝メモリ株式会社は、64層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS
FLASHTM」を搭載したUFS (Universal Flash Storage) [注1]製品を開発し、本日からサンプル出荷を開始します。[注2]高速のリード・ライト性能や低消費電力が求められるスマートフォン、タブレットなどのモバイル機器や、VR
/ AR[注3]用機器などのストレージ製品として対応可能です。
新製品は、「BiCS FLASHTM」を使用することによって実現可能となった大容量256GB[注4]の製品をはじめ、128GB、64GB、32GBの計4製品をラインアップします。全容量JEDECが規定する11.5mm
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13mmのパッケージにフラッシュメモリとコントローラーを内蔵し、コントローラー側でエラー訂正、ウェアレベリング、論理-物理アドレス変換、不良ブロックの管理などの制御機能を行うため、ユーザーの開発負荷を軽減することができます。
また、新製品はJEDEC UFS Ver.2.1規格に準拠し、消費電力の増加を抑制しながら最大5.8Gbps
(2laneモード設定時では11.6Gbps)
のインターフェーススピードを実現するHS-GEAR3に対応しています。64GBの製品はシーケンシャルリード性能[注5]が900MB/s、シーケンシャルライト性能が180MB/sで、ランダムリード性能とランダムライト性能は当社前世代製品[注6]と比べてそれぞれ約200％、約185％向上しています。さらに、シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能です。
＊本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。
[注1] UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組込み式ストレージメモリの標準規格
[注2]
本日から64GBの製品を先頭にサンプル出荷を開始し、12月以降順次出荷を拡大していく予定です。
[注3] Virtual
Reality：仮想現実、Augmented Reality：拡張現実
[注4]
本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
[注5]リード・ライト性能は1MB/s
= 1,000,000bytes/sとして算出しています。実際のリード・ライト性能値は、製品、性能測定時の条件、ファイルサイズなどに依存します。
[注6]
当社前世代64GBの製品「THGAF4G9N4LBAIR」
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