四日市--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝は、本日、フラッシュメモリを製造する四日市工場の第６製造棟と開発センターの起工式を行いました。
第６製造棟は、３次元フラッシュメモリ「ＢｉＣＳ ＦＬＡＳＨ™」注の生産拡大のために建設するものであり、３次元フラッシュメモリ固有の製造工程を担う予定です。四日市工場第５製造棟と同様に２期に分けて建設することとし、２０１８年夏に第１期分が竣工する予定です。開発センターは、第６製造棟に隣接して建設され、３次元フラッシュメモリや新規メモリの開発を行うための施設です。開発センターの完成は２０１７年末の予定です。
第６製造棟における具体的な設備導入・生産開始時期、生産能力、生産計画等については、市場動向を踏まえ、今後決定していきます。
当社は、市場動向に合わせた３次元フラッシュメモリの生産拡大など、メモリ事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開し、今後も市場におけるリーダシップを発揮していきます。
注
従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
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BiCS FLASHTMは、株式会社東芝の商標です。
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