東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器の充電回路用ロードスイッチ向けに展開している小型・低オン抵抗MOSFETのラインアップに、新たに開発した高許容損失の小型パッケージ「TSOP6F」を採用した製品を加え、その第一弾として20V耐圧のPチャネルシングルMOSFET「SSM6J801R」のサンプル出荷を本日から開始します。量産出荷は12月末を予定しています。
新パッケージ「TSOP6F」は、モバイル機器の充電回路用ロードスイッチやLED駆動回路の小スペース化要求に対応して開発された2.9mm×2.8mmの小型パッケージで、既存のSOT-457パッケージと同じ実装面積とランドパターンながら、許容損失1.5Wを実現しています。
新パッケージ「TSOP6F」を使った小型・低オン抵抗MOSFET製品は、今回の「SSM6J801R」を第一弾とし、今後2in1展開など順次製品ラインアップの拡大を行っていく予定です。
| 構成 | VDSS (V) | VGSS (V) | ID (A) | RDS(ON) typ. (mΩ) | Ciss (pF) | Sample | Mass Production | ||||||||||||||
VGS=1.5V | VGS=1.8V | VGS=2.5V | VGS=4.5V | |||||||||||||||||||
SSM6J801R | Pch Single | -20 | -8/+6 | -6 | 47 | 39 | 31 | 25 | 840 | OK | Dec./'16 | |||||||||||
SSM6J808R | -40 | -20/+10 | -7 | - | - | - | 41 | 1105 | Dec./'16 | 2Q/'17 | ||||||||||||
SSM6K810R | Nch Single | 100 | ±20 | 3.5 | - | - | - | 65 | 430 | Dec./'16 | 2Q/'17 | |||||||||||
SSM6N813R | Nch Dual | 100 | ±20 | 3.5 | - | - | - | 120 | 172 | Apr./'17 | 3Q/'17 | |||||||||||
SSM6N815R | 100 | ±20 | 2 | - | - | - | 95 | 223 | Mar./'17 | May/'17 | ||||||||||||
新製品「SSM6J801R」の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.SSM6J801R.html
東芝の小型・低オン抵抗 MOSFETのラインアップについては下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html
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