当社従来品に比べて通電損失による発熱を約40%改善
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
ストレージ＆デバイスソリューション社は、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器向けに、業界トップクラス［注１］の低オン抵抗を実現したロードスイッチ用NチャネルMOSFETを製品化し、本日から出荷を開始します。
新製品は、30V耐圧の「SSM6K513NU」と40V耐圧の「SSM6K514NU」の2製品をラインアップしました。当社最新世代のトレンチMOS「U-MOS
IX-H（ユー・モス・ナイン・エイッチ）シリーズ」プロセスを採用することにより、「SSM6K513NU」においては6.5mΩ、「SSM6K514NU」においては8.9mΩと業界トップクラスの低オン抵抗を実現しました。その結果、当社従来品［注２］に比べて通電損失による発熱を約40%改善しました。新製品は、USB
Type-CTMやUSB Power
Delivery(PD)などに対応した小型モバイル機器において10W以上の電力をスイッチするアプリケーションに適しており、システムの高効率、低消費電力化に貢献します。
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品番 | 絶対最大定格 |
| Ciss typ. (pF) | パッケージ | ||||||||||
VDSS (V) | VGSS (V) | ID (A) | VGS=4.5V | VGS=10V | ||||||||||
SSM6K513NU | 30 | ±20 | 15 | 8 | 6.5 | 1130 | SOT-1220 | |||||||
SSM6K514NU | 40 | ±20 | 12 | 11.2 | 8.9 | 1110 | ||||||||
［注１］2016年9月26日時点、同定格の製品において。東芝調べ。
［注２］当社従来品「SSM6K504NU」
＊USB
Type-CはUSB Implementers Forumの商標です。
新製品の詳細については下記ホームページをご覧ください。
・「SSM6K513NU」：
http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=SSM6K513NU®ion=jp&lang=ja
・「SSM6K514NU」：
http://toshiba.semicon-storage.com/info/lookup.jsp?pid=SSM6K514NU®ion=jp&lang=ja
・東芝の小型・低オン抵抗
MOSFETのラインアップ：
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3411
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
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