豊田合成は材料として耐圧性に優れる「窒化ガリウム=GaN」を使用することに加え、電気を基板に対して垂直に流す「縦型構造」 を採用し、薄型・小型化などを図ることで性能を高めてきた。 今回、新たに GaN 結晶内に「電流分散層」を導入することで、電流を耐圧維持層に広げて抵抗値を下げ、 電流容量を従来の 50 アンペアから 100 アンペアに高めることに成功した。なお、この技術については、 2019 年 5 月に上海で開かれたパワー半導体の世界最大の国際会議(ISPSD)で発表した。