東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。



新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x 0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。

また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

  • 車載向け リレー、ソレノイド駆動用
  • 産業向け リレー、ソレノイド駆動用
  • OA機器向け クラッチ駆動用

新製品の主な特長

  • 周辺部品の削減が可能
  • 3.0V低電圧動作
  • デュアルパッケージ品 (2 in 1)
  • AEC-Q101適合
 

新製品の主な仕様

(@Ta=25℃)

項目   特性
絶対最大定格   ドレイン・ソース間電圧

VDSS (V)

60
ゲート・ソース間電圧

VGSS (V)

±12
ドレイン電流

ID (A)

0.65
電気的特性 ドレイン・ソース間オン抵抗

RDS(ON) max

(mΩ)

  |VGS|=3.0V 2400
|VGS|=5.0V 1800
ゲート入力電荷量

Qg typ. (nC)

1.5
入力容量

Ciss typ. (pF)

43
パッケージ   TSOP6F   2.9mm×2.8mm; t=0.8mm
 

当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

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情報提供元:
記事名:「東芝デバイス&ストレージ(株):小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について