東芝デバイス＆ストレージ(株)：小型デュアルパッケージのリレー駆動用小型MOSFET発売について

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、メカリレーなどの誘導性負荷のドライブに適した、ドレイン-ゲート端子間にダイオードを内蔵したMOSFET「SSM6N357R」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。

新製品は、周辺回路として必要なプルダウン抵抗、シリーズ抵抗、ツェナーダイオードを内蔵しているため、部品の削減ができるだけでなく、実装スペースの削減にも貢献します。

さらに、新製品はデュアルタイプパッケージ(2in1)を採用しており、当社シングルタイプパッケージ品「SSM3K357R」(2.4 x 2.9 x
0.8 mm)を2個使用する場合と比較して、実装面積を42%程度低減します。

また、業界標準のTSOP6Fクラスのパッケージと3.0Vの低電圧動作およびAEC-Q101適合により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。

応用機器

• 
  車載向け リレー、ソレノイド駆動用
  


• 
  産業向け リレー、ソレノイド駆動用
  


• 
  OA機器向け クラッチ駆動用
  

新製品の主な特長

• 
  周辺部品の削減が可能
  


• 
  3.0V低電圧動作
  


• 
  デュアルパッケージ品 (2 in 1)
  


• 
  AEC-Q101適合
  

新製品の主な仕様
(@Ta=25℃)
項目						特性
絶対最大定格		ドレイン・ソース間電圧 VDSS (V)				60
		ゲート・ソース間電圧 VGSS (V)				±12
		ドレイン電流 ID (A)				0.65
電気的特性		ドレイン・ソース間オン抵抗 RDS(ON) max (mΩ)		|VGS|=3.0V		2400
				|VGS|=5.0V		1800
		ゲート入力電荷量 Qg typ. (nC)				1.5
		入力容量 Ciss typ. (pF)				43
パッケージ		TSOP6F				2.9mm×2.8mm;t=0.8mm

当社の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html

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