株式会社マーケットリサーチセンター
株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「非絶縁型ゲートドライバの世界市場2026年」調査資料を発表しました。資料には、非絶縁型ゲートドライバのグローバル市場規模、動向、予測、関連企業の情報などが盛り込まれています。
■主な掲載内容
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市場概要
世界の非絶縁型ゲートドライバ市場は、2025年に16億6,700万米ドル規模となり、2032年には25億9,700万米ドルへ拡大すると予測されています。予測期間中の年平均成長率は6.4％です。
非絶縁型ゲートドライバは、制御側と電力スイッチ側の間に電気的な絶縁を設けず、外部の電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、窒化ガリウム電界効果トランジスタ、炭化ケイ素電界効果トランジスタなどを駆動する電源管理・アナログ制御用半導体です。
低出力の制御信号を高電流のゲート駆動信号へ変換し、スイッチング速度の向上、電力損失の低減、デッドタイム管理、低電圧時の誤動作防止などを実現します。主な用途には、スイッチング電源、同期降圧変換器、サーバー電源、自動車用アクチュエーター、モーター制御、産業自動化、ロボット、再生可能エネルギー設備、民生電子機器、演算装置などがあります。
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市場動向
市場では、成熟した汎用製品から、より高性能で用途特化型の製品へ需要が移行しています。低側駆動型や上下側半橋型は引き続き主要製品ですが、自動車向け、高電流、低遅延、高い過渡耐性、広いバンドギャップ半導体への対応など、高付加価値仕様の重要性が高まっています。
特に、窒化ガリウムや炭化ケイ素など高速スイッチング可能な電力半導体の普及により、ゲートドライバにもより高速な応答、誤点弧防止、高い耐雑音性能が求められています。
また、サーバー電源、小型モーター制御基板、電力管理回路などとの統合も進んでおり、単体部品ではなく、システム全体の効率と信頼性を高める役割が重視されています。
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市場の成長要因
市場成長を支える主な要因は、スイッチング電力変換、自動車の電動化、産業自動化、ロボット、人工知能向けサーバー電源、48V電源構成の拡大です。
電力回路のスイッチング速度が高まり、装置が小型化するほど、外部電力半導体を正確に制御する専用ゲートドライバの重要性が増します。適切な駆動により、効率向上、電磁干渉低減、電力素子保護などが可能になります。
特に自動車および産業用途は、高い信頼性や認証要件が求められるため、高付加価値需要を形成しています。演算装置やサーバー電源でも高周波化が進み、より高速で高精度な製品への更新需要が拡大しています。
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課題と成長機会
成熟した低側駆動型や汎用半橋型では、価格競争が激しくなっています。民生電子機器や一般電源用途では製品差別化が難しく、低価格化の圧力が強まっています。
また、電力段とドライバを統合した製品や、モーター制御用システム半導体などが普及することで、単独のゲートドライバ市場が一部置き換えられる可能性もあります。
一方、自動車用アクチュエーター、高周波サーバー電源、窒化ガリウム・炭化ケイ素対応製品、小型ロボット、電動工具、再生可能エネルギー制御基板などには大きな成長機会があります。高いピーク駆動電流、プログラム可能なデッドタイム、高い過渡耐性、自動車向け認定を備えた製品は、高付加価値設計で採用されやすいと考えられます。
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産業構造
上流では、アナログ・混合信号半導体設計、高耐圧半導体製造技術、ウエハー製造、パッケージング、検査、リードフレーム、静電気保護、信頼性評価などが行われます。
中流では、低側、高側、上下側半橋、全橋、3相制御などの各種ゲートドライバ半導体が設計・製造されます。
下流には、電源メーカー、自動車電子機器メーカー、産業自動化企業、モーター制御装置メーカー、演算機器メーカー、民生電子機器メーカー、再生可能エネルギー設備メーカーなどがあります。
付加価値は、高速スイッチング、低伝搬遅延、高信頼性レベルシフト、低電圧保護、熱信頼性、小型実装、設計支援能力などによって生まれます。
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製品別・用途別動向
電圧区分別では、40V以下、40～120V、120～250V、250～700V、700V以上に分類されます。駆動対象別では、シリコン電界効果トランジスタ、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、窒化ガリウム電界効果トランジスタ、炭化ケイ素電界効果トランジスタに分けられます。
現時点ではシリコン系製品が需要の中心ですが、高周波・高電力密度用途では窒化ガリウムや炭化ケイ素対応製品の重要性が高まっています。
機能別では、低側駆動型、高側駆動型、上下側一体型などが主要区分です。低側型と半橋型は、電源、モーター制御、同期降圧回路など幅広い用途で使用され、市場の主要需要を形成しています。
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地域動向
北米と欧州は、アナログ半導体、電源管理、自動車用半導体の産業基盤を背景に、主要供給地域となっています。日本も電力半導体や自動車電子機器分野で安定した地位を維持しています。
一方、中国本土と台湾では、電源管理半導体メーカー、サーバー電源関連企業、自動車電子機器の国産化を背景に供給企業の存在感が高まっています。
地域競争は単純な製造拠点ではなく、顧客用途への対応力によって左右される傾向が強まっています。世界大手は製品群の広さ、認証実績、設計支援を強みとし、地域メーカーは価格、迅速な対応、現地供給網を武器にシェア拡大を進めています。
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競争環境と市場展望
主要企業には、Texas Instruments Incorporated、Infineon Technologies AG、STMicroelectronics N.V.、onsemi、Microchip Technology Incorporated、Renesas Electronics Corporation、Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation、Analog Devices, Inc.、Monolithic Power Systems, Inc.、ROHM Co., Ltd.、Diodes Incorporated、Nexperia B.V.、Littelfuse, Inc.、NXP Semiconductors N.V.、Allegro MicroSystems, Inc.などがあります。
また、3PEAK Incorporated、SG Micro Corp、Melexis NV、Elmos Semiconductor SE、NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd.、Silergy Corp.、Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.、Richtek Technology Corporation、uPI Semiconductor Corp.なども各地域や特定用途で事業を拡大しています。
今後は、単純な価格競争よりも、高速スイッチング性能、自動車向け認証、誤動作耐性、窒化ガリウム・炭化ケイ素との最適化、設計支援力などが競争軸となります。自動車、産業、人工知能演算、データセンター、48V電源などの拡大により、高性能な非絶縁型ゲートドライバへの需要は今後も着実に増加すると考えられます。
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目次
1. 市場概要
・1.1 製品概要と調査範囲
・1.2 市場推計上の留意事項と基準年
・1.3 電圧クラス別市場分析
・1.3.1 2021年・2025年・2032年の世界消費額比較
・1.3.2 40ボルト以下
・1.3.3 40～120ボルト
・1.3.4 120～250ボルト
・1.3.5 250～700ボルト
・1.3.6 700ボルト以上
・1.4 駆動対象パワーデバイス別市場分析
・1.4.1 シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ用ドライバ
・1.4.2 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ用ドライバ
・1.4.3 窒化ガリウム電界効果トランジスタ用ドライバ
・1.4.4 炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ用ドライバ
・1.5 製品機能別市場分析
・1.5.1 ローサイドゲートドライバ
・1.5.2 ハイサイドゲートドライバ
・1.5.3 ハイサイド・ローサイド兼用ドライバ
・1.6 用途別市場分析：自動車、産業、電子機器産業、エネルギー・電力インフラ、コンピューティング・データセンター
・1.7 世界市場規模・予測：消費額、販売数量、平均価格（2021～2032年）
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2. メーカー概要
・2.1 Texas Instruments Incorporated：企業概要、主要事業、製品・サービス、販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア、最新動向
・2.2 Infineon Technologies AG：企業概要、主要事業、製品・サービス、販売実績、最新動向
・2.3 STMicroelectronics N.V.：企業概要、主要事業、製品・サービス、販売実績、最新動向
・2.4 onsemi
・2.5 Microchip Technology Incorporated
・2.6 Renesas Electronics Corporation
・2.7 Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation
・2.8 Analog Devices, Inc.
・2.9 Monolithic Power Systems, Inc.
・2.10 ROHM Co., Ltd.
・2.11 Diodes Incorporated
・2.12 Nexperia B.V.
・2.13 Littelfuse, Inc.
・2.14 NXP Semiconductors N.V.
・2.15 Allegro MicroSystems, Inc.
・2.16 3PEAK Incorporated
・2.17 SG Micro Corp
・2.18 Melexis NV
・2.19 Elmos Semiconductor SE
・2.20 NOVOSENSE Microelectronics Co., Ltd.
・2.21 Silergy Corp.
・2.22 Hangzhou Silan Microelectronics Co., Ltd.
・2.23 Richtek Technology Corporation
・2.24 uPI Semiconductor Corp.
・2.4～2.24 各社について、企業概要、主要事業、製品・サービス、販売数量、平均価格、売上高、粗利益率、市場シェア（2021～2026年）、最新動向を分析
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3. メーカー別競争環境
・3.1 メーカー別世界販売数量（2021～2026年）
・3.2 メーカー別世界売上高（2021～2026年）
・3.3 メーカー別世界平均価格（2021～2026年）
・3.4 2025年市場シェア分析
・3.4.1 メーカー別売上高および市場シェア
・3.4.2 上位3社の市場シェア
・3.4.3 上位6社の市場シェア
・3.5 企業展開状況分析：地域別、製品種類別、用途別
・3.6 新規参入企業と市場参入障壁
・3.7 合併、買収、契約、協業
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4. 地域別消費分析
・4.1 地域別世界市場規模
・4.1.1 地域別販売数量（2021～2032年）
・4.1.2 地域別消費額（2021～2032年）
・4.1.3 地域別平均価格（2021～2032年）
・4.2 北米の消費額
・4.3 欧州の消費額
・4.4 アジア太平洋の消費額
・4.5 南米の消費額
・4.6 中東・アフリカの消費額
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5. 電圧クラス別市場
・5.1 電圧クラス別世界販売数量（2021～2032年）
・5.2 電圧クラス別世界消費額（2021～2032年）
・5.3 電圧クラス別世界平均価格（2021～2032年）
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6. 用途別市場
・6.1 用途別世界販売数量（2021～2032年）
・6.2 用途別世界消費額（2021～2032年）
・6.3 用途別世界平均価格（2021～2032年）
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7. 北米市場
・7.1 電圧クラス別販売数量
・7.2 用途別販売数量
・7.3 国別市場規模、販売数量、消費額
・7.3.1 米国の市場規模・予測（2021～2032年）
・7.3.2 カナダの市場規模・予測（2021～2032年）
・7.3.3 メキシコの市場規模・予測（2021～2032年）
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8. 欧州市場
・8.1 電圧クラス別販売数量
・8.2 用途別販売数量
・8.3 国別市場規模、販売数量、消費額
・8.3.1 ドイツの市場規模・予測（2021～2032年）
・8.3.2 フランスの市場規模・予測（2021～2032年）
・8.3.3 英国の市場規模・予測（2021～2032年）
・8.3.4 ロシアの市場規模・予測（2021～2032年）
・8.3.5 イタリアの市場規模・予測（2021～2032年）
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9. アジア太平洋市場
・9.1 電圧クラス別販売数量
・9.2 用途別販売数量
・9.3 地域別市場規模、販売数量、消費額
・9.3.1 中国の市場規模・予測（2021～2032年）
・9.3.2 日本の市場規模・予測（2021～2032年）
・9.3.3 韓国の市場規模・予測（2021～2032年）
・9.3.4 インドの市場規模・予測（2021～2032年）
・9.3.5 東南アジアの市場規模・予測（2021～2032年）
・9.3.6 オーストラリアの市場規模・予測（2021～2032年）
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10. 南米市場
・10.1 電圧クラス別販売数量
・10.2 用途別販売数量
・10.3 国別市場規模、販売数量、消費額
・10.3.1 ブラジルの市場規模・予測（2021～2032年）
・10.3.2 アルゼンチンの市場規模・予測（2021～2032年）
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11. 中東・アフリカ市場
・11.1 電圧クラス別販売数量
・11.2 用途別販売数量
・11.3 国別市場規模、販売数量、消費額
・11.3.1 トルコの市場規模・予測（2021～2032年）
・11.3.2 エジプトの市場規模・予測（2021～2032年）
・11.3.3 サウジアラビアの市場規模・予測（2021～2032年）
・11.3.4 南アフリカの市場規模・予測（2021～2032年）
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12. 市場動向
・12.1 非絶縁型ゲートドライバ市場の成長要因
・12.2 市場の抑制要因
・12.3 市場動向分析
・12.4 5つの競争要因分析
・12.4.1 新規参入の脅威
・12.4.2 供給者の交渉力
・12.4.3 購買者の交渉力
・12.4.4 代替品の脅威
・12.4.5 既存企業間の競争
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13. 原材料・産業チェーン
・13.1 非絶縁型ゲートドライバの原材料と主要メーカー
・13.2 製造コスト構成比
・13.3 製造工程
・13.4 産業価値連鎖分析
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14. 流通経路別出荷
・14.1 販売経路
・14.1.1 最終需要者への直接販売
・14.1.2 販売代理店経由
・14.2 主要販売代理店
・14.3 主要顧客
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15. 調査結果・結論
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16. 付録
・16.1 調査手法
・16.2 調査工程とデータ情報源
・16.3 免責事項
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【非絶縁型ゲートドライバについて】
非絶縁型ゲートドライバとは、MOSFETやIGBTなどのパワー半導体を高速かつ安定してオン・オフするための駆動回路で、制御側と電力側の間に電気的な絶縁機能を持たないタイプです。マイコンやPWMコントローラからの制御信号を増幅し、パワー半導体のゲートに必要な電圧と電流を供給します。絶縁回路を省略できるため、回路の小型化や低コスト化に適しています。
主な特徴は、高速スイッチング、低伝搬遅延、高いピーク出力電流、優れた駆動効率です。ゲートの充放電を短時間で行うことで、スイッチング損失を低減し、電力変換効率を高めることができます。また、低電圧ロックアウト、デッドタイム制御、過電流保護などの機能を備えた製品もあります。一方、制御回路と電力回路が共通のグラウンドを使用するため、高い絶縁耐圧が必要な用途には適しません。
種類には、ローサイド型、ハイサイド型、ハーフブリッジ型、デュアルチャネル型などがあります。ローサイド型は接地側のスイッチ駆動に使用され、ハイサイド型は上側スイッチの制御に用いられます。さらに、MOSFET、IGBT、GaNデバイスなど、駆動対象に最適化されたタイプもあります。
用途としては、DC-DCコンバータ、スイッチング電源、モータードライブ、LEDドライバ、インバータ、同期整流回路、バッテリー管理システムなどがあります。産業機器、自動車電子機器、通信機器、民生機器などで広く利用されており、高効率・高速なパワーエレクトロニクスを支える重要な半導体部品です。
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主な事業内容：市場調査レポ－トの作成・販売、市場調査サ－ビス提供
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TEL：03－6161－6097 FAX：03－6869－4797
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