EV（電気自動車）のパワーエレクトロニクスおいては、SiC MOSFETがSi IGBTの市場シェアをさらに獲得し、大手や新興のメーカー（OEM）の多く（テスラ、VW、ヒョンデ、BYD、ルシード、ニーオ、他多数）にとって最適な技術となっています。自動車業界は新技術の導入にリードタイムを要することで知られています。しかし、2017年にテスラ モデル3へのSiC（炭化ケイ素）MOSFETの導入が成功したことに加え、サプライチェーン全体の発展もあり、SiC技術の普及が進んでいます。さらに、性能、歩留まりの向上やコストの引き下げを実現する技術革新（200mmウエハー、基板の代替品、集積化パワーエレクトロニクスなど）も登場しています。GaNは、SiCよりもさらに高い出力密度を実現する可能性があるとされていましたが、IDTechExが見たところでは、先進技術としてGaNが広く採用されている事実はありません。GaNが商業的に広く普及するかは、大規模生産、基板技術、加工技術の進歩によってEV市場の厳格な要件に適合できるかどうかにかかっているところが大きいのです。
本ウェビナーでは、IDTechExのテクノロジーアナリストJohn Liが最新調査をもとに解説します。
＜開催概要＞
テーマ：『EVパワートレインの未来： SiC、GaN、パワーエレクトロニクスの進化』
（The Future of EV Powertrains: SiC, GaN, and the Evolution of Power Electronics）
開催日時： 2024年7月11日（木） 10時もしくは18時から30分間
開催方法：オンライン
言語：英語
参加費：無料（事前登録制）
https://www.idtechex.com/ja/webinar/ev-12497-12527-12540-12488-12524-12452-12531-12398-26410-26469-65306-sic-12289-gan-12289-12497-12527-12540-12456-12524-12463-12488-12525-12491-12463-12473-12398-36914-21270/598
【画像 https://www.dreamnews.jp/?action_Image=1&p=0000300637&id=bodyimage1】
当日カバーする内容（予定）
- EVパワーエレクトロニクスと、Si、SiC、GaNの特性についての大まかな概要
- SiC MOSFETの採用、800Vアーキテクチャ、サプライチェーンの動向分析
- EVにおけるGaNの可能性と、技術開発分析
- EVパワーエレクトロニクスにおけるその他トレンド考察
- EVパワーエレクトロニクスの2035年までの市場分析と進化の概要
IDTechExは関連する調査レポートを6月に発行しました。
『電気自動車用パワーエレクトロニクス 2025-2035年：技術、市場、予測』
https://www.idtechex.com/ja/research-report/power-electronics-for-electric-vehicles-2025-2035-technologies-markets-and-forecasts/1014
本無料ウェビナー（英語）は、上記調査レポートからの抜粋です。また、ウェビナー使用した資料は、後日、提供します。
IDTechExは、その他にも先進技術に関連するウェビナーを開催しています。
詳しくは、こちらをご覧ください。
https://www.idtechex.com/ja/research/webinars
【本件に関するお問合せは、下記まで】
アイディーテックエックス株式会社 （IDTechEx日本法人）
100-0005 東京都千代田区丸の内1-6-2 新丸の内センタービル21階
URL: https://www.idtechex.com/ja
担当：村越美和子 m.murakoshi@idtechex.com
電話 : 03-3216-7209
配信元企業：アイディーテックエックス株式会社
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