1,000万IOPSを実現するKIOXIA XL-FLASH™採用のPCIe® 6.0 SSD
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --キオクシア株式会社は、AIアプリケーション向けにGPUによるダイレクトアクセスと最大1,000万IOPS注１の高速ランダムリードを実現するSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を開発しました。PCIe® 6.0およびNVMe™に対応し、第2世代KIOXIA XL-FLASH™フラッシュメモリを採用したKIOXIA GP1シリーズは、2026年3月に開発を発表したKIOXIA GPシリーズ注2の最初の製品となります。フラッシュメモリベースのメモリ拡張を可能にすることで、AIインフラにおいて増大する性能およびメモリ需要への対応に貢献します。本製品の評価用サンプルは、2026年末までに限定顧客向けにサンプル出荷を開始する予定で注3、2026年8月4日から6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: The Future of Memory and Storage」で展示されます。
KIOXIA GP1シリーズは、高帯域幅メモリ（HBM）を高速なフラッシュメモリベースの階層として拡張する新しいAIストレージアーキテクチャーに対応し、AIシステムはHBMを増設する場合と比べて大幅に低いコスト注4でより大規模なデータセットにアクセスすることが可能となり、GPU利用効率の向上にも寄与します。
低遅延かつ高性能な第2世代KIOXIA XL-FLASHフラッシュメモリを採用したKIOXIA GP1シリーズSuper High IOPS SSDは、従来のTLCベースSSDと比較して、大幅に高いIOPS性能注4、512バイト単位の細かいデータ単位でのアクセス、I/O当たりの低消費電力を実現します。本アーキテクチャーは、現在の1,000万ランダムリードIOPSから、将来的には最大1億IOPSを目指した拡張を視野に設計されています。
KIOXIA GP1シリーズの主な特長
PCIe® 6.0およびNVMe™ 2.2規格に対応
低遅延フラッシュメモリ第2世代KIOXIA XL-FLASH™を採用
512バイト単位で最大1,000万ランダムリードIOPS注2
E3.SおよびE1.S 9.5 mm / 15mmのフォームファクターをラインアップ、E3.SおよびE1.S 9.5 mmフォームファクターは空冷・液冷に対応（すべてのフォームファクターで従来の空冷環境に対応）
最大50 DWPDの高耐久性注5
注1 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
注2 AI・GPU 主導のワークロードに最適化した新しいSSDモデルを発表
（https://www.kioxia.com/ja-jp/business/news/2026/20260317-1.html）
注3 本サンプルは機能評価用です。本サンプルは量産時と仕様が異なる場合があります。
注4 2026年7月28日時点、キオクシア調べ。
注5 DWPD: Drive Writes Per Day。総書き込み容量 (TBW) をドライブユーザー容量 (TB) と定格寿命の日数で除した値です。ドライブ容量を１単位として、平均して毎日何単位書き込むと定格寿命到達時に総書き込み容量 (TBW) に達するかを示しています。
*記憶容量：1 MB (1メガバイト) ＝1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) ＝1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
*NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
*PCIeは、PCI-SIGの登録商標です。
*その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
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