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キオクシア:AI時代をリードするキオクシアのフラッシュストレージソリューションをFMS 2026で提案



フラッシュメモリとSSDによる次世代AIインフラの実現に向けた最新技術を紹介





東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) --キオクシア株式会社は、8月4日から8月6日まで米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「FMS: the Future of Memory and Storage」に出展します。AIアプリケーション向けにGPUによるダイレクトアクセスと最大1,000万IOPS注1の高速ランダムリードを実現するSuper High IOPS SSD「KIOXIA GP1シリーズ」を含む、フラッシュメモリおよびSSD技術がもたらす次世代AIインフラへの貢献について紹介します。次世代AIインフラに求められる性能、拡張性および電力効率の向上を実現する最新のイノベーションを基調講演、エグゼクティブパネルディスカッション、技術セッション、技術デモンストレーションを通じて提案します。


キオクシアは、先日発表したKIOXIA CM10シリーズPCIe® 6.0エンタープライズSSDおよびKIOXIA NX1シリーズSSDを展示します。両シリーズは直接液冷(DLC: Direct Liquid Cooling)方式に対応し、 AIや最新のデータセンター環境向けに設計されたKIOXIA CM10シリーズは、第10世代BiCS FLASH™フラッシュメモリを搭載した初のエンタープライズSSDであり、KIOXIA NX1シリーズは新世代のE1.Sフォームファクターを採用したPCIe® 5.0 NVMe™データセンターSSDです。


キオクシアは、FMS2026にて下記の基調講演やさまざまなセッションに登壇します。


キオクシアの主な展示と講演:


1. 基調講演


"Redefining Data Center Storage for the AI Era with Flash Memory and SSDs"



  • 日時:2026年8月4日(月)11:10(PDT:現地米国西海岸の太平洋夏時間)


  • 会場:Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor


  • 講演者:松寺 克樹(キオクシア株式会社 メモリ事業部・メモリ応用技術統括部 技術統括部長)、ネビル・イチャポリア(キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部門 シニア・バイス・プレジデント兼ジェネラル・マネージャー)


2. NVIDIAスペシャルセッション


"Balancing Memory and Storage to Operate AI Factories and Agents at Scale"



  • 会場:Mission City Ballroom, Santa Clara Convention Center, First Floor


  • 日時:2026年8月6日(木)11:00(PDT)


  • 講演者:ローリー・ボルト(キオクシアアメリカ社 SSDビジネス・ユニット部 シニア・フェロー兼プリンシパル・アーキテクト)


3. パネルディスカッション"Storage in Accelerator-Centric Architectures"



  • 日時:2026年8月6日(水)9:45(PDT)


  • 会場:Ballroom G, Hyatt Regency Santa Clara, Lobby Floor


  • 講演者:イリヤ・チェルカソフ(キオクシアアメリカ社 エンタープライズSSD部門 プリンシパルエンジニア)


4. 当社ブースでの展示・デモ(ブース番号:#307)



  • KIOXIA GP1シリーズ:GPU近接ワークロード向け1000万IOPSの512バイトランダムリード性能のSuper High IOPS SSD


  • KIOXIA NX1シリーズ:AI向け液冷対応データセンターNVMe™ SSD


  • KIOXIA CM10シリーズ:PCIe® 6.0対応エンタープライズNVMe™ SSD


  • KIOXIA CM9シリーズ:エンタープライズNVMe™ SSDによるAI推論性能向上のためのコンテキストメモリキャッシング


  • KIOXIA LC9シリーズ:245.76TB NVMe™ SSDによる大規模データセットの高速検索向け大容量QLCストレージ


  • オープンソースソフトウェアKIOXIA AiSAQ™:AI推論向けベクトルデータベースの拡張性向上


  • 第10世代BiCS FLASH™:CMOS directly Bonded to Array (CBA)技術と横方向微細化技術の強化による332層構造


  • XL-FLASH™搭載CXL™メモリモジュール:XL-FLASH™によるメモリ拡張ソリューション


  • UFS 5.0:AI対応の高性能モバイルメモリソリューション


  • 低遅延QLCフラッシュメモリ:AIアプリケーション向け32ダイ積層の大容量BGAパッケージ


関連リンク:


FMS 2026の公式サイト
AIを支えるストレージソリューション


注1 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。



  • 記憶容量:1 MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイト、1 TB=1,099,511,627,776 (2の40乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。



  • NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。


  • PCIeはPCI-SIGの商標です。


  • CXLはCompute Express Link Consortium, Inc.の商標です。


  • UFS (Universal Flash Storage):JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。


  • その他記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。


*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容およびお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。


Contacts


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:

キオクシア株式会社

プロモーションマネジメント部

進藤智士

Tel: 03-6478-2404

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