同社のノーマリー・オフ型dモード・プラットフォームが実現する低損失と高性能により、画期的なGaN製品イノベーションとともに、電気自動車、データセンター／AI、その他マルチ・マーケットの電源システムを提供
カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --堅牢な窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の世界的リーダーであるトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、PCIM 2024において、より大きな電力システムにおける競合のワイド・バンドギャップ技術を凌駕する同社製品の性能について披露する予定であることを発表しました。例として、同社のノーマリー・オフdモードの「SuperGaN®」プラットフォームでは、より高い電子移動度を実現することで、炭化ケイ素と比較した場合のクロスオーバー損失を低減でき、これによりさまざまな電気自動車、データセンター／AI、インフラ、再生可能エネルギー、およびその他の幅広い産業用途における、費用対効果が高く、より高性能なソリューションを実現します。詳細については、2024年6月11日から13日まで開催されるPCIMの7番ホール、108番の同社ブースまでお越しください。
トランスフォームのSuperGaN電界効果トランジスターは、パワー・スペクトルが45Wの低出力アダプターから7.5kWの高出力PSUまで、幅広い顧客製品の中で製造されています。こうした顧客製品の多くは、GaNベースのシステムとして初めて公的に認められたものであり、SuperGaNプラットフォームによってのみ可能になるメリットを独自に証明しています。例として、ミッション・クリティカルなデータセンター／ブロックチェーン用途向けの前述の液冷式7.5kW PSU、82W/in3以上の出力密度を誇る2.7kWサーバー用CRPS（現時点で利用可能なGaN電源システムとしては最大）、2.2kWおよび3kWのラック・マウント型1U無停電電源装置（UPS）が挙げられます。こうしたデザイン・ウィンは、2028年までに80億ドルと推定されるGaNのTAMを構成する、さまざまな用途の市場にGaNを推進する同社の力量を示すものです。
トランスフォームは実際の顧客製品に加え、最近披露した5マイクロ秒の短絡耐量、双方向4象限スイッチ、および1200Vのサファイア基板上GaNデバイスなど、技術的成果でも引き続き先頭を走っています。
当日会場では、同社の2輪および3輪電気自動車充電器のソリューションや、再生可能エネルギー・システム、データ・センターなどの顧客向けPSUの展示が行われる予定です。
講演予定
ボードーズ・パワー・システムズのセッションにおいて、競争技術を凌駕し、クロス・インダストリー・イノベーションを可能にするトランスフォームのGaNソリューションについて詳細をご確認ください。
演題：GaN Wide Bandgap Design, the Future of Power（GaNワイド・バンドギャップ設計、電力の未来）
講演者：フィリップ・ズック（事業開発・マーケティング担当シニア・バイス・プレジデント）
日付：6月12日
時間：午後2時20分～3時20分（CEST）
場所：7番ホール、743番ブース
パワー・スペクトルに幅広く対応する単一の中核プラットフォーム
トランスフォームはGaNパワー半導体の大手企業であり、以下の技術の点により他社との差別化を図っています。
製造性：EPI設計、ウエハ・プロセス、FETダイ設計を社内で行う垂直的統合体制。
設計性： 世界規模で顧客と提携し、より簡単で迅速なシステム開発を実現するとともに、周知の業界標準パッケージとパフォーマンス・パッケージを提供。
駆動性：最小限の外部回路で、シリコンのように動作する、既存のコントローラーやドライバーと組み合わせ可能なデバイスの提供。
信頼性：低電力から高電力までの用途において実稼働3,000億時間以上にわたるFIT率が0.05未満であり、依然として業界をリード。
面談をご希望の方へ
展示会開催中に同社との面談をご希望の方は、vipin.bothra@transphormusa.comまでご連絡ください。
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダーであるトランスフォーム社は、高性能かつ信頼性の高い、高圧電力変換アプリケーション用のGaN系半導体を設計・製造しています。1000を超える所有特許またはライセンス特許を含む最大規模のパワーGaNのIPポートフォリオの1つを有する同社は、業界初の JEDECおよびAEC-Q101認定の高電圧GaN系半導体デバイスを製造しています。また、垂直統合型デバイスビジネスモデルにより、設計、製造、デバイス、アプリケーション サポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社の革新により、パワーエレクトロニクスがシリコンの限界を超え、99%以上の効率、50%高い出力密度、20%のシステムコスト削減を実現します。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、ゴリータと日本の会津に製造拠点を置いています。詳細は、www.transphormusa.comでご覧いただくか、X（@transphormusa）およびWeChat（Transphorm_GaN）でフォローしてください。
SuperGaNのマークは、トランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。
本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。
Contacts
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com
