～最新世代プロセスを採用し、低オン抵抗と安全動作領域の拡大を実現～
川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） --東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用電源ラインのスイッチング回路、ホットスワップ回路[注1]など向けに、最新世代プロセス「U-MOS X-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、100V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH3R10AQM」を製品化し、本日から出荷を開始します。
新製品は、ドレイン･ソース間オン抵抗を業界トップクラス[注2]の最大3.1mΩ(VGS=10V)に抑え、従来品の100V耐圧製品「TPH3R70APL」と比べて、約16%低減[注2]しました。また、最新世代プロセス採用により、従来品に対して安全動作領域を76%[注3]拡大し、過渡動作領域での使用にも適しています。オン抵抗の低減と過渡動作領域での動作範囲を拡大することで、並列接続する員数を減らすことができます。さらに、ゲートしきい値電圧範囲を2.5～3.5Vに設定しており、ゲート電圧のノイズによる誤動作を起こりにくくしています。
パッケージは、フットプリントの互換性が高いSOP Advance(N)を採用しました。
当社は今後も、システムの高効率や、信頼性の向上、安定稼働に貢献するパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進します。
応用機器
データセンターや通信基地局などの産業機器用電源
高効率DC-DCコンバーターなどのスイッチング電源
新製品の主な特長
業界トップクラス[注2]の低オン抵抗 : RDS(ON)=3.1mΩ (max) (VGS=10V)
安全動作領域が広い
チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175 °C
[注1] 機器が稼働した状態での回路基板やケーブルの抜き挿し(ホットスワップ)に対応した回路
[注2] 2023年６月現在、当社調べ。
[注3] パルス幅tw=10ms、VDS=48V
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH3R10AQM
当社のMOSFET製品については下記ページをご覧ください。
MOSFET
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TPH3R10AQM
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長沢 千秋
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
