ECLIPSEプロジェクトでは最先端窒化ガリウム（GaN）エピウェハー素材の生産と供給の確立を目指し、技術開発に向けてトランスフォームと再度政府契約を締結
カリフォルニア州ゴレタ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 根本的に優れ、定量的に他をしのぐGaNパワー半導体のグローバルリーダーであるトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は、国家安全保障技術加速組織（the National Security Technology Accelerator／NSTXL）と最大1,500万ドルの契約を締結したと発表しました。ECLIPSEプロジェクトに関する契約で、トランスフォームに最先端GaNエピウェハーの製造を命じています。当プロジェクトに貢献する今回の機会は、最先端GaN素材分野および同社MOCVD製造インフラストラクチャーにおける同社のIP、知識、専門技術を強調するものです。
GaNエピウェハーの設計、開発とさまざまな革新的高電圧GaNプラットフォームの生産においてトランスフォームが有する経験は10年超に及びます。これらのイニシアチブによって、この半導体パイオニアのパワーおよび高周波（RF）GaNビジネスにとってのバーチカルが複数形成されています。
「間違いなく、最先端GaN素材の価値と可能性は幅広いアプリケーションにおいて明らかです。当社は、電力変換とRFアプリケーションに適した、記録的なパフォーマンスと効率の優位性を生み出す高出力密度プラットフォームを複数開発しました」とトランスフォーム最高技術責任者（CTO）で共同創業者のUmesh Mishraは述べています。「当社はデバイスおよび製造の能力と合わせて強力な中核をなすエピ素材の万能性があるので、この種のイノベーションでは秀でています。当社は、素材、設計、プロセスといったGaN技術の側面をすべて進化、改良しようと取り組んできました。現在は、ECLIPSEプログラムを強力に実行し、当社の最先端GaNエピウェハー供給能力が高まることを期待しています」
本契約の提案プロセスは、国家安全保障技術加速組織（NSTXL）がOTA（Other Transaction Agreement／その他の取引契約）として行いました。
トランスフォームについて
トランスフォームは、GaN革命のグローバルリーダーであり、高電圧電力変換アプリケーション向けの高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。トランスフォームは、1,000件超の特許を保有する最大級のPower GaN IPポートフォリオを有し、業界初のJEDECおよびAEC-Q101認定高電圧GaN半導体デバイスを製造しています。同社の垂直統合型デバイスビジネスモデルは、設計、製造、デバイス、アプリケーションサポートなど、あらゆる開発段階でのイノベーションを可能にしています。同社のイノベーションは、シリコンの限界を超えて電力エレクトロニクスを進化させ、99%を上回る効率、50%超の出力密度、20%のシステムコスト削減を実現しています。トランスフォームは、カリフォルニア州ゴレタに本社を置き、ゴレタと会津に製造拠点を持っています。詳細については、www.transphormusa.comをご覧ください。また、Twitter（@transphormusa）とWeChat（@ Transphorm_GaN）をフォローしてください。
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