川崎--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、パワーデバイス (MOSFETやIGBT) を駆動する絶縁ゲートドライバーに過電流保護機能を搭載した、スマート・ゲートドライバーカプラーのラインアップを拡充します。このたび、保護動作からの自動復帰機能を内蔵した2.5A出力のスマート・ゲートドライバーカプラー「TLP5222」を製品化し、本日から出荷を開始します。
新製品TLP5222は、駆動デバイスのドレイン・ソース間電圧(VDS)[注1]またはコレクター・エミッター間電圧(VCE)[注2]を常時モニターしており、駆動デバイスに過電流が生じた場合、VDSまたはVCEの上昇を検知し、駆動デバイスを緩やかにターンオフさせる過電流保護機能を内蔵しています。また、保護動作開始後、標準25.5μs経過すると、自動的に通常動作に戻る自動復帰機能を内蔵しています。これにより、コントローラー側でのシーケンス設定を簡略化できます。さらに、駆動デバイスの過電流検出時にコントローラーへ異常を伝えるフォルト信号絶縁フィードバック機能と、上下アーム短絡[注3]を防止するアクティブミラークランプ機能を内蔵し、設計の簡易化や外付け回路削減に貢献します。
TLP5222は、最小8mmの沿面距離と空間距離を確保したSO16Lパッケージを使用しており、高い絶縁性能が必要な機器にも対応しています。また、－40°Cから110°Cと動作温度定格が広いため、熱環境の厳しい太陽光発電システムやUPS[注4]などの産業用機器に適しており、幅広い用途に対応します。
自動復帰機能を内蔵していない、LEDへの入力信号によって復帰する既存製品TLP5212、TLP5214A、TLP5214もラインアップしており、使用条件によって製品選択ができます。
[注1] 駆動デバイスがパワーMOSFETの場合
[注2] 駆動デバイスがIGBTの場合
[注3] ノイズによる誤動作やスイッチング時のミラー電流によるパワーデバイスの誤動作により、上下のパワーデバイスがオンする現象
[注4] UPS: Uninterruptible Power Supply (無停電電源装置)
応用機器
- MOSFETおよびIGBT ゲート駆動
- 産業用インバーター・サーボ
- 再生可能エネルギー用インバーター（太陽光発電(PV)インバーターなど）
- スイッチング電源（UPS[注4]など)
新製品の主な特長
- 保護動作からの自動復帰機能を内蔵
- ピーク出力電流定格 : IOPH/IOPL=±2.5A
- 過電流検出、フォルト信号絶縁フィードバック、アクティブミラークランプなどの保護機能を内蔵
- 最小8mmの沿面距離と空間距離を確保したSO16Lパッケージ
新製品の主な仕様
(特に指定のない限り、@Ta=－40°C～110°C) | |||
品番 | |||
パッケージ | 名称 | SO16L | |
寸法 (mm) | 10.3 × 10 (typ.) t : 2.3 (max) | ||
絶対最大定格 | 動作温度 Topr (°C) | －40～110 | |
ピーク出力電流 IOPH/IOPL (A) | ±2.5 | ||
推奨動作条件 | 出力側トータル電源電圧 (VCC2−VEE) (V) | 15～30 | |
入力側電源電圧 VCC1 (V) | 2.7～5.5 | ||
電気的特性 | 供給電流 Icc2H、Icc2L max (mA) | 5 | |
スレッショルド入力電流 (L/H) IFLH max (mA) | 6.0 | ||
DESATスレッショルド電圧 VDESAT typ. (V) | 6.6 | ||
スイッチング特性 | 伝搬遅延時間 tpHL、tpLH max (ns) | 250 | |
DESAT ミュート時間 tDESAT(MUTE) typ. (μs) | 25.5 | ||
コモンモード過渡耐性 CMH、CML min (kV/μs) | @Ta=25°C、CF=Open | ±25 | |
@Ta=25°C、CF=1nF | ±50 | ||
絶縁特性 | 絶縁耐圧 BVS min (Vrms) | @Ta=25°C | 5000 |
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新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TLP5222
当社スマート・ゲートドライバーカプラーの応用については下記アプリケーションノートをご覧ください。
・スマートゲートドライバーカプラーTLP5214A/5214/5212/5222アプリケーションノート -導入編-
・スマートゲートドライバーカプラーTLP5214A/5214/5212/5222アプリケーションノート -応用編-
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アイソレーター/ソリッドステートリレー(SSR)
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TLP5222
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