トランスフォームが業界標準のTO-263（D2PAK）を当社の表面実装パッケージ製品に追加し、SuperGaNプラットフォームの利点を拡大

新しい50 mOhm SuperGaN FETにより、データセンターと広範な産業アプリケーションのためのGaNベース高出力システムの開発を簡素化・迅速化

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム（Nasdaq：TGAN）は本日、表面実装パッケージ製品を拡張し、TP65H050G4BSを追加したと発表しました。この新しい高出力表面実装デバイス（SMD）は、TO-263（D2PAK）に収めた650VのSuperGaN® FETであり、標準オン抵抗は50ミリオームとなっています。トランスフォームの7番目のSMDとなり、低～中電力アプリケーション向けに現在提供している幅広いPQFNデバイスに追加されます。

JEDECに準拠したTP65H050G4BSは、データセンターや広範な産業アプリケーションで一般的に使用される高電力（1～数キロワット）システムを開発する設計者やメーカーに幾つかの利点を提供します。トランスフォームのクラス最高の信頼性、ゲート堅牢性（±20 Vmax）、シリコンノイズ耐性閾値（4V）、そして当社のGaN技術と同義である設計の容易さとドライバビリティーを提供します。エンジニアは、高出力と表面実装パッケージの両条件が必要な場合にD2PAKを使用して、PQFNタイプのパッケージと比較して優れた熱特性を実現しながら、単一の製造フローを使用することでPCBの組み立て効率を向上させることができます。

D2PAKはディスクリートデバイスとして提供されますが、トランスフォームのTDTTP2500B066B-KIT（2.5kW AC-DCブリッジレストーテムポール力率改善（PFC）評価ボード）の電力密度を高めるために垂直ドーターカードに搭載することも可能です。また、1.2kWの同期式ハーフブリッジTDHBG1200DC100-KIT評価ボードにスワップして、数キロワットの電力を駆動することも可能です

トランスフォームの世界マーケティング／アプリケーション／ビジネス開発担当シニアバイスプレジデントを務めるフィリップ・ズクは、次のように述べています。「D2PAKは、当社のポートフォリオに加わる重要な製品です。これにより、当社がこれまでスルーホールデバイスで対応していた高出力アプリケーションに、当社のSMDの有用性が拡大します。使い慣れたTO-XXXパッケージは設計上の課題を排除し、システム開発を簡素化し、市場投入を迅速化するものであり、今回の拡大はお客さまが当社のGaNプラットフォームの利点をTO-XXXパッケージで活用できるよう支援する上で、新たな前進となります。」

トランスフォームは現在、標準的なTO-XXXパッケージで高電圧GaNデバイスを提供している唯一のGaNサプライヤーです。なお、これらのパッケージは、代替e-mode GaN技術が損傷に対して特有のゲート感度を持っていることから、この技術と共には使用することができません。

提供について

上記のデバイスと評価ボードは、下記のリンクを通じ、ディジ・キーとマウザーで提供しています。

• TP65H050G4BS FET：ディジ・キー / マウザー
• 2.5 kW評価ボード（TDTTP2500B066B-KIT）：ディジ・キー / マウザー
• 1.2 kW 評価ボード (TDHBG1200DC100-KIT)：ディジ・キー / マウザー

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。

SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて各所有者に帰属します。

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