2.5kWの評価ボードは、交換可能なドーターカードに新しいSuperGaN® Gen IV D2PAK FETを採用し、異なる電力レベルへの迅速なアクセスを実現
トランスフォーム米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 高信頼性・高性能の窒化ガリウム（GaN）電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム (OTCQX: TGAN)は本日、マイクロチップ・テクノロジーのデジタル信号処理技術を使用した当社設計ツールの拡張を発表しました。TDTTP2500B066B-KITは、2.5kWのAC-DCブリッジレストーテムポール力率改善(PFC)評価ボードです。トランスフォームのSuperGaN® FETとマイクロチップのdsPIC33CKデジタル信号コントローラー（DSC）ボードを組み合わせたもので、エンドアプリケーションの要求に応じて簡単にカスタマイズできるファームウエアがあらかじめプログラムされています。この新しいボードを使用することで、データセンターや幅広い産業用電源の開発が迅速化されます。
新デバイス+新機能=開発機能の向上
TDTTP2500B066B-KITは、トランスフォームの最新のSuperGaN Gen IVデバイスであるTP65H050G4BSを使用したドーターカードと共に既製品として提供します。TP65H050G4BSはTO-263（D2PAK）に搭載された650V SMD SuperGaN FETで、標準オン抵抗は50ミリオームとなっています。
また、この新評価ボードには、使い勝手を向上させる先進機能として、トランスフォームのGaNデバイスを搭載したドーターカードを交換できる機能が搭載されています。これにより、設計技術者は別売りのドーターカードであるTDHB-65H070L-DCを2つ目のオプションとして使用することで、72ミリオームのオン抵抗を持つTP65H070LDG/LSG GaNデバイスの評価もできます。このドーターカードは、50ミリオームのFETカードに代わるドロップインタイプです。
初のSuperGaN/Microchip DSC評価ボード（4kW TDTTP4000W066C-KIT）と同様に、2.5kWボードもファームウエア開発支援でマイクロチップの世界的な技術サポートチームにアクセスできます。
マイクロチップのMCU16事業部門バイスプレジデントを務めるジョー・トムセン氏は、次のように述べています。「当社はトランスフォームと継続的に連携することで、成長するGaN電力変換市場に革新的なパワーエレクトロニクスソリューションをもたらしています。マイクロチップは、スマートな統合ソリューションによって技術的変化をリードすることに大きな投資をしています。当社のデジタルシグナルプロセッサーの性能と柔軟性は、GaNベースの電力変換アプリケーションの厳しい要件にうってつけです。」
マイクロチップのdsPIC® DSCは、限られた専門知識しかない開発者でも、その力を高めることができるよう、一連の組み込み設計ツールでサポートされています。これらのツールは、マイクロチップの無償統合開発環境MPLAB® Xでデバイスを初期化するための直感的なグラフィックユーザーインタフェースを提供します。これらのソフトウエアツールを補完する形で、プログラマー、デバッガー、エミュレーターのためのアクセサリも幅広くそろえています。
技術仕様
トランスフォームのTDTTP2500B066B-KITに採用されているDSC統合ソリューションの特徴は下記の通りです。
650V 50mΩ SuperGaN FET (TP65H050G4BS)
入力電圧：85VAC～265VAC、47Hz～63Hz
入力電流：18Arms、115VACで1250W、230VACで2500kW
出力電圧：390VAC±5VAC（プログラム可能）
デッドタイム：プログラム可能
PWM周波数：66kHz
力率：>0.99
このボードは、PFCパワートレインを制御するマイクロチップのdsPIC33CKデジタルパワープラグインモジュール（PIM）を中心に設計されており、下記のPIM機能があらかじめプログラムされています。
マイクロチップのAEC-Q100準拠dsPIC33CK256MP506デジタル信号コントローラー
タイムクリティカルな制御アプリケーションで高速の決定論的性能を実現する100MIPS
デュアルフラッシュパネルにより、電力供給中にコードのライブアップデートを実現
高いアナログ集積度により、BOMコストの削減とシステムサイズの最小化を実現
解像度が250psのPWM
dsPIC33CK PIMのファームウエアップデートは、マイクロチップのウェブサイトからダウンロードできます。
トランスフォームの世界技術マーケティング・事業開発担当シニアバイスプレジデントであるPhilip Zukは、次のように述べています。「当社は、設計上の課題を取り除き、開発を簡素化し、市場投入を迅速化することで、お客さまがGaNプラットフォームの利点を容易に活用できるようにしています。マイクロチップの洗練されたDSC機能を統合することは、この目標にとって極めて重要です。当社は、GaNが提供する価値提案が最高となり、最も一般的に求められる電力段を、2つの出力レベルで、事前プログラム済みファームウエアと交換可能なGaNデバイス構成と共に、提供できるようになりました。」
提供について
TDTTP2500B066B-KITは、ディジ・キーとマウザーで提供しています。
トランスフォームの70ミリオームFETの評価に興味のあるお客さまは、TDHB-65H070L-DCドーターカードをこちらからご注文いただけます
トランスフォームについて
GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC／AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター（@transphormusa）とウィーチャット（Transphorm_GaN）で当社をフォローしてください。
SuperGaNマークはトランスフォームの登録商標です。その他の商標はすべて各所有者の財産です。
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