高度な GaN 技術により、電力及び効率を大幅に向上
カリフォルニア州サンノゼ発--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 優れたエネルギー効率を持つ高耐圧電力変換用 IC で業界をリードする Power Integrations (Nasdaq: POWI) は本日、オフライン CV/CC フライバック スイッチング電源用 IC の InnoSwitch™3 ファミリーを発表しました。この新しい IC では、全負荷範囲で最大 94% の効率、そして密閉型アダプタの実装において最大 100 W をヒートシンクなしで実現します。この画期的な性能の向上は、同社の開発した高耐圧 GaN スイッチ技術によるものです。
擬似共振方式の InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP 及び InnoSwitch3-Pro IC は、一次、二次、及びフィードバックの各回路を単一の表面実装パッケージに内蔵しています。このファミリーに新しくリリースされたICは、 一次側にある従来の高耐圧シリコン トランジスタをGaNスイッチに置き換えたことにより、電流が流れているときの導通損失を低減し、動作中のスイッチング損失を大幅に削減します。これにより、従来製品と同様にInSOP-24D パッケージによる省スペース化を実現するとともに、効率の向上及び電力供給の大幅な増加を可能にします。
この新しい IC は、携帯機器用のUSB-PD や高電流の充電器/アダプタ、セットトップ ボックス、ディスプレイ、電化製品、ネットワーク及びゲーム機器などの高効率フライバック設計を対象とし、外付け部品に依存しない高精度の CV/CC/CP を提供します。また、急速充電プロトコル IC とのインターフェイスも容易に実現します。InnoSwitch3-CP 及び ‑EP は、ハードウェアによる構成になります。一方、InnoSwitch3-Pro は高度なデジタル インターフェイスを備え、CV 及び CC セットポイント、例外処理、安全モード オプションのソフトウェア制御が可能です。
Power Integrations の社長兼 CEO である Balu Balakrishnan は、次のように述べています。「GaN は極めて重要な技術であり、シリコンに比べはるかに優れた効率及びサイズ上の利点があります。そのため、私達は、多くの電源アプリケーションでシリコン トランジスタから GaN への変換が急速に進むと予想しています。InnoSwitch3 は、18 か月前シリコン トランジスタベースの製品をリリースして以来、オフライン スイッチング電源用 IC 市場をリードしてきましたが、この新しい GaN をベースにした IC により、フライバック製品の効率及び電力容量の両方がさらに改善し、この市場に進化をもたらします。」
Power Integrations の新しい InnoSwitch3 IC は現在発売されており、10,000 個ロットの場合、単価は 4 米ドルです。Power Integrations のウェブサイトにある新しい 5 つの デザイン例では、60 W ～ 100 W の USB PD 充電器を紹介しています。また、同ウェブサイトでは、自動設計ツール PI Expert™ やその他の技術サポート文書もご利用いただけます。
Power Integrations について
Power Integrations, Inc. は、高耐圧電力変換用半導体技術で業界をリードする革新的企業です。Power Integrations の製品は、クリーン電源エコシステムに欠かせない要素になっており、再生可能エネルギーの生成を可能にするとともに、ミリワットからメガワットに及ぶ用途で効率的な電力伝送と電力消費を実現します。詳細はwww.power.comをご覧ください。
Power Integrations、InnoSwitch、LinkSwitch、FluxLink、及び Power Integrations のロゴ、Power Integrations, Inc. の商標または登録商標です。その他の商標はすべて、それぞれの所有者に帰属します。
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