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東芝:電源の高効率化に貢献する新世代スーパージャンクション パワーMOSFET「DTMOS VIシリーズ」の発売について


東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、データセンター、太陽光発電パワーコンディショナーなどの産業機器用電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション
パワーMOSFET「DTMOS VI (ディーティーモス・シックス)
シリーズ」を製品化しました。シリーズ第一弾となる新製品「TK040N65Z」の量産、出荷を本日から開始します。








DTMOS VIシリーズは、従来シリーズ「DTMOS IV-H
(ディーティーモス・フォー・エイチ)」と比べて、性能指数であるドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量 (RDS(ON)×Qgd)の低減を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献できる製品です。TK040N65Zは、従来製品「TK62N60X」(DTMOS
IV-Hシリーズ)と比べて、RDS(ON)×Qgdを約40%低減したことにより、電源効率が約0.36%[注1]向上しました。



当社は、今後も市場動向に合わせてラインアップの拡充を推進し、電源の高効率化に貢献します。



応用機器




  • データセンター (サーバー電源など)


  • 太陽光発電パワーコンディショナー


  • 無停電電源装置



新製品の主な特長




  • 低RDS(ON)×Qgd化を実現し、スイッチング電源の高効率化が可能





































































 


新製品の主な仕様




(@Ta=25 ℃)



品番

 

パッケージ

 

絶対最大定格

 

ドレイン・ソース間


オン抵抗



RDS(ON) max



@VGS=10 V



(Ω)



 

ゲート


入力



電荷量



Qg



typ.



(nC)



 

ゲート・


ドレイン間



電荷量



Qgd



typ.



(nC)



 

入力容量


Ciss



typ.



(pF)



 


従来シリーズ



(DTMOS IV-H)



品番



 


オンラインディストリビューター
在庫検索&Web少量購入





ドレイン・


ソース間



電圧



VDSS



(V)



 

ドレイン


電流



(DC)



ID



(A)










TK040N65Z



 

TO-247

 

650

 

57

 

0.040

 

105

 

27

 

6250

 

TK62N60X

 


Buy
Online



 


[注1] 2018年6月時点、当社実測値 (2.5kW PFC回路@出力電力=2.5kW)。



東芝400V-900V MOSFET製品の詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/hv-mosfet.html



オンラインディストリビューターが保有する当社製品の在庫照会および購入は下記をご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/buy/stockcheck.TK040N65Z.html



お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html



*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。




Contacts


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel:
03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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