東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝デバイス＆ストレージ株式会社は、最大28Vまでの入力動作電圧に対応することで、急速充電などの大電流供給が必要な用途に適したNch
MOSFETドライバIC「TCK401G（アクティブハイ［注１］）」及び、「TCK402G（アクティブロー［注２］）」を製品化し、本日から量産、出荷を開始します。
新製品は過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能など各種機能を内蔵しながらも、業界最小クラス［注３］の「WCSP6Eパッケージ」(0.8mm×1.2mm,
t: 0.55mm(typ.))を採用しています。
用途に合わせた耐圧およびオン抵抗で選択された、外付けNch MOSFETと本製品との組み合わせにより、高効率な電源回路が実現できます。
例えば、当社の低オン抵抗MOSFET「SSM6K513NU」との組み合わせにより、100Wクラスにも対応した電源回路を省スペースで実現できるため、モバイル機器やコンシューマ機器向けに適しています。
応用機器
モバイル機器、コンシューマ機器
新製品の主な特長
広い入力動作電圧：VIN _opr = 2.7V to 28V
小型WCSP6Eパッケージ：0.8mm x 1.2mm, t: 0.55mm(typ)
過電圧保護機能、突入電流抑制機能、オートディスチャージ機能を内蔵
| ||||||||
| TCK401G (アクティブハイ) | TCK402G (アクティブロー) | ||||||
絶対最大定格 | ||||||||
入力電圧 VIN (V) | 40 | |||||||
電気的特性 | ||||||||
入力動作電圧 VIN_opr (V) | 2.7 to 28 | |||||||
入力消費電流 IQ(ON) typ. (μA) @ VIN=5 V | 121 | |||||||
ゲートドライブ電圧 VGS typ (V) | VIN = 3 V | 4 | ||||||
VIN = 5 V | 6.5 | |||||||
VIN = 9 V | 6.5 | |||||||
12V≦VIN≦28V | 8.5 | |||||||
ゲートオン時間 tON typ (ms) [注4] @VIN=5V, VGATE=6V, CGATE=2000pF | 0.58 | |||||||
ゲートオフ時間 tOFF typ (μs) [注4] @VIN=5V, VGATE=0.5V,CGATE=2000pF | 16.6 | |||||||
[注1] モード制御端子がハイ論理で外付けMOSFETがオン、ロー論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注2]
モード制御端子がロー論理で外付けMOSFETがオン、ハイ論理で外付けMOSFETがオフになります。
[注3] Nch FET
Driver IC製品において。2017年9月27日現在。当社調べ。
[注4] VCTがVIHの半分の値になってから、記載のVGATEになるまでの時間。
当社の電源用ICの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/linear/power-supply.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
小信号デバイス営業推進部
Tel： 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
＊本資料に掲載されている情報（製品の価格／仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など）は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。
Contacts
報道関係の本資料に関するお問い合わせ先：
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel:
03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp
