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東芝:高許容損失の小型パッケージを採用したモバイル機器のロードスイッチ用低オン抵抗MOSFETの発売について


東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 株式会社東芝
ストレージ&デバイスソリューション社
は、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器の充電回路用ロードスイッチ向けに展開している小型・低オン抵抗MOSFETのラインアップに、新たに開発した高許容損失の小型パッケージ「TSOP6F」を採用した製品を加え、その第一弾として20V耐圧のPチャネルシングルMOSFET「SSM6J801R」のサンプル出荷を本日から開始します。量産出荷は12月末を予定しています。








新パッケージ「TSOP6F」は、モバイル機器の充電回路用ロードスイッチやLED駆動回路の小スペース化要求に対応して開発された2.9mm×2.8mmの小型パッケージで、既存のSOT-457パッケージと同じ実装面積とランドパターンながら、許容損失1.5Wを実現しています。



新パッケージ「TSOP6F」を使った小型・低オン抵抗MOSFET製品は、今回の「SSM6J801R」を第一弾とし、今後2in1展開など順次製品ラインアップの拡大を行っていく予定です。









































































































































































 


品番



 

構成

 

VDSS (V)

 

VGSS (V)

 

ID (A)

 

RDS(ON) typ. (mΩ)

 

Ciss (pF)

 

Sample

 

Mass Production






VGS=1.5V

 

VGS=1.8V

 

VGS=2.5V

 

VGS=4.5V

 



SSM6J801R


Pch Single


-20


-8/+6


-6


47


39


31


25


840


OK


Dec./'16

SSM6J808R



-40


-20/+10


-7


-


-


-


41


1105


Dec./'16


2Q/'17

SSM6K810R


Nch Single


100


±20


3.5


-


-


-


65


430


Dec./'16


2Q/'17

SSM6N813R


Nch Dual


100


±20


3.5


-


-


-


120


172


Apr./'17


3Q/'17

SSM6N815R

 

 

100

 

±20

 

2

 

-

 

-

 

-

 

95

 

223

 

Mar./'17

 

May/'17

 


新製品「SSM6J801R」の詳細については下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/detail.SSM6J801R.html



東芝の小型・低オン抵抗 MOSFETのラインアップについては下記ホームページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html



お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html



*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。




Contacts


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
株式会社東芝
ストレージ&デバイスソリューション社
デジタルマーケティング部
高畑浩二
Tel:
03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

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