次世代プロセス「TaRF8」を適用したサンプルを16年1月に出荷
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 株式会社東芝
セミコンダクター＆ストレージ社は、スマートフォンなどのモバイル機器向けに、業界最小レベル［注１］の挿入損出［注２］を実現した、高周波スイッチ用半導体プロセス「TarfSOITM（Toshiba
advanced RF SOI）」の次世代プロセス「TaRF8」を開発しました。また、新プロセスを適用したスマートフォン用SP12T［注３］高周波スイッチICのサンプル出荷を2016年1月から開始します。
今回新たに開発した「TaRF8」プロセスを適用したSP12Tは、3GPP GSM、UMTS、W-CDMA、LTE、LTE-Advanced規格［注４］に対応したモバイル通信端末向けMIPI-RFFE［注５］コントローラ内蔵の送信用高周波スイッチICです。当社が高周波スイッチ用に独自に開発したSOI-CMOS［注６］フロントエンドプロセス「TarfSOI」の、改良した次世代「TaRF8」プロセスを使い、業界最小レベルの挿入損失0.32dB（周波数2.7GHzにおいて)を実現しました。既存の「TaRF6」プロセスを使った製品に比べ、歪特性を維持しながら挿入損失を0.1dB改善しました。
近年のモバイル通信の高速化、大容量化に対応し、スマートフォンなどのモバイル端末に使用される高周波スイッチICには、多ポート化や高周波対応などの特性改善が求められています。特に挿入損失の低減は、送信電力の損失減少に効果があり、モバイル端末のバッテリ駆動時間に影響することから、改善が強く求められています。
当社は高周波特性に優れ、アナログ/デジタル回路との集積も容易なSOI-CMOS技術を用いた高周波スイッチICを自社のファブを活用して開発しています。半導体プロセス開発から製品開発までを社内で一貫して手掛けることにより、製品開発の結果を素早く半導体プロセス開発にフィードバックすることができます。よって、実際の製品に最適化された半導体プロセス技術を短期間で確立し、最新プロセスを適用した製品の早期市場投入を可能としています。
当社は今後ともTarfSOIプロセスの特性改善を継続するとともに、最先端技術を用いた製品をより早く市場に投入することにより、高周波スイッチICの性能改善要求に対して迅速に対応していきます。
［注１］ | 2015年11月20日現在、高周波スイッチIC市場において。当社調べ。 | |
［注２］ | 入力端子から出力端子へ高周波信号が伝搬する際の電力損失。入力信号と出力信号の電力比をデシベル単位で表す。 | |
［注３］ | Single Pole Twelve Throw Switch | |
［注４］ | モバイル通信技術の標準化団体である3GPP(3rd Generation Partnership Project)が標準化した通信規格の名称。 | |
［注５］ | モバイル端末内で使用される高周波部品をシリアルバス制御するための通信規格。標準化団体であるMobile Industry Processor Interface(MIPI)のRF Front-End (RFFE) Working Groupが標準化作業を担当している。 | |
［注６］ | MOSFETのチャネルの下に絶縁層を形成し浮遊容量を低減させる技術。SOIはSilicon On Insulatorの略。 | |
＊TarfSOIは株式会社東芝の商標です。
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