ウィンボンドのQspiNAND:W25N512GWPIT
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ウィンボンドのQspiNAND:W25N512GWPIT
ウィンボンドによる業界初の1.8V、512Mビット(64Mバイト)QspiNANDフラッシュメモリは、新しいセルラーNB-IoTモジュールに最適な容量帯を提供します。
独立系市場調査会社WebFeet Research社のAlan Niebel社長は、次のように述べています。
「IoTにより2020年までにコネクテッド機器が500億台の規模に拡大するにつれ、QSPI-NAND(Quad SPI NAND)の採用率が数年内に4～5倍増加する可能性があります。ウィンボンドの1.8V QspiNANDフラッシュメモリは車載およびIoTの両セグメントで適しています。NB-IoTは、この新しいコネクテッドワールドで成長が見込まれており、出荷台数が2023年までに世界で6億8,500万台に達する可能性があります」
米国ウィンボンド・エレクトロニクス社フラッシュ事業部のSyed S. Hussainセグメントマーケティング部長は、次のように述べています。
「ウィンボンドは、イノベーションと差別化に取り組むべくQspiNANDフラッシュメモリのKGDソリューションを開発し、Qualcomm Technologies社のQualcomm(R) 9205 LTEモデムに採用されたことを誇りに思っております。私たちは、IoTアプリケーションの次世代LTEモデムソリューション向けメモリ製品において、Qualcomm Technologies社と緊密な連携を継続します」
ウィンボンドは、従来のQSPI-NORフラッシュメモリをベースにQSPI-NANDフラッシュメモリに製品範囲を拡げたことで、低コストでフレキシブルな選択肢をお客様に提供します。これは、104MHzのクロック周波数で連続リードモード(Continuous Read Mode)を活用によりパフォーマンスを損なうことなく、6つの信号と従来のQSPI-NORフラッシュ用コマンドセットをベースにQSPI-NANDフラッシュ用に拡張されたコマンドセットを使用することで実現できます。
Qualcomm Europe社プロダクトマネジメント副社長のVieri Vanghi氏は次のように話しています。
「Qualcomm TechnologiesはウィンボンドのQspiNANDフラッシュメモリをスタック型KGDソリューションとしてQualcomm(R) 9205 LTEモデム向けにテストし、採用を認定しました。これにより、OEMのお客様は極めて小型のフォームファクタシステムを構築することが可能になります。ウィンボンドとの長期的なコラボレーションにとても満足しており、これからも最先端のIoTテクノロジーソリューションを共に提供し続けることを楽しみにしています」
QspiNANDフラッシュメモリ W25Nファミリーは、従来のパラレルインターフェースのNANDフラッシュでは不可能だった省スペースの8ピンパッケージで提供します。W25N512GWは、32,768のプログラマブルなページ(2,112バイト/ページ)で構成された512MビットのQspiNANDフラッシュメモリです。可能にする新しいへ。一度読み出しコマンドを与えるだけでメモリアレイ全体からの効率的な読み出しを可能にする連続リードモードが実装されており、コードシャドウイングアプリケーションに最適です。
104MHzのクロック周波数によりFast Read Dual/Quad I/O命令使用時には416MHz(104MHz x 4)相当のQuad SPI特性が実現可能です。さらに、NANDフラッシュ特有の不良ブロックを管理するためのBad Block Management機能が実装されており、より扱いやすくなっています。
ウィンボンドのQspiNANDフラッシュメモリは、台湾台中市にある自社の12インチウェハ工場で製造されています。車載およびIoTの両セグメントで見込まれる新しいビジネスの成長に対応し、確実にサポートできるよう生産能力を拡大しています。
ウィンボンド・エレクトロニクスのフラッシュメモリ担当エグゼクティブ、J.W. Parkは次のように述べています。
「当社のSpiFlashファミリーにQspiNANDフラッシュメモリが加わり拡張されることで、QSPI-NORフラッシュメモリおよびパラレルNANDフラッシュメモリからQspiNANDフラッシュメモリに置き換える際に様々なメリットをもたらします。ウィンボンドは、この新しい512MビットのQspiNANDフラッシュメモリをQualcomm Technologies社のベースバンドエンジニアリングチームと共同で開発し、費用対効果を考慮して高性能を実現しました」
【1.8V QspiNANDフラッシュメモリの特長】
■低消費電力
・1.75V～1.95Vの単一電源
・アクティブ時：25mA、スタンバイ時：10μA、ディープパワーダウン時：1μA
■動作温度範囲
・-40℃～+85℃、インダストリアルグレード
・-40℃～+105℃、インダストリアルプラスグレードおよび車載グレード
■メモリアーキテクチャ
・46nmプロセス技術によるシングルレベルセル(SLC)
・On-chip ECC有効時のページ読み出し時間：60μs
・ページプログラム時間：250μs(Typ.)
・ブロック消去時間：2ms(Typ.)
・OTP領域のサポート
■信頼性
・エンデュランス：10万回
・データ保持 ：10年
■省スペースパッケージ
・WSON8 6x8mm
・WSON8 5x6mm
・TFBGA24 6x8mm
・KGD(ノウングッドダイ)
W25N512GW(512Mビット)は現在販売中です。
QspiNANDフラッシュメモリに関しての詳細は、 https://www.winbond.com よりお問い合わせください。
■ウィンボンド・エレクトロニクスについて
ウィンボンド・エレクトロニクスはトータルメモリソリューションプロバイダです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、およびコードストレージフラッシュメモリで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。
台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港に子会社を有しています。
※Qualcomm 9205 LTEモデムは、Qualcomm Technologies Inc.の製品です。
※Qualcommは、米国およびその他の国で登録されているQualcomm Incorporatedの商標です。
※SpiFlashは、Winbond Electronics Corporationの登録商標です。
※この資料に記載されている他のすべての製品名は、識別のみを目的としており、各社の商標または登録商標です。
