日本電子、半導体不良解析向け低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」を発売

低角度イオンミリング走査電子顕微鏡「HAXIS」が、日本電子より2026年10月5日に発売されました。

製品概要

HAXISは、デバイス構造の微細化・複雑化が進む先端半導体分野に向けて開発された、新しい半導体不良解析プラットフォームです。長年培った電位コントラスト（PVC）検出技術と試料前処理技術を融合させることで、電気的な異常箇所を鮮明かつ再現性高く捉えることが可能です。

販売予定台数：15台/年間

独自の剥離加工技術と高精度解析

先端半導体の解析では、プロービングによる接触が解析対象へ影響を及ぼす懸念があります。HAXISは、不活性ガスであるAr（アルゴン）を用いた低角度イオンミリング（LIM）法を採用しました。この独自の剥離加工技術により、試料表面へのダメージを最小限に抑えつつ平坦な加工面を形成し、構造や電位情報を保持したまま鮮明な観察を実現します。これにより、不良箇所の特定から原因究明までの工程を迅速化し、QTAT（Quick Turnaround Time）の実現に貢献します。

主な特長

・鮮明なPVC観察
・Arガス採用による低運用コスト
・低ダメージ剥離加工（LIM法）
・剥離と観察の繰り返し測定
・低コンタミネーション

会社概要

社名：日本電子株式会社（JEOL Ltd.）
所在地：東京都昭島市武蔵野3-1-2
代表者：代表取締役社長兼CEO 大井泉
設立：1949年5月30日
資本金：213億9,418万円（2025年3月末時点）