開発の特長
1. 独自高密度実装技術で小型化を実現し、5G基地局の設置性向上に貢献
- 整合回路にコンデンサーやインダクターなど従来の金属箔の線路と比べてサイズの小さいチップ部品を適用し、高精度な電磁界解析手法に基づく独自高密度実装技術により、チップ部品間の干渉を抑制しながら高密度実装することで、当社従来※5比90分の1となる6mm×10mmの小型化を実現
- 増幅器モジュールの小型化により、アンテナや増幅器、他の周辺回路から構成される多素子アンテナを有する5G基地局の小型化と設置性の向上に貢献
2. 独自整合回路技術で世界最高の電力効率を実現し、5G基地局の低消費電力化に貢献
- 高効率動作が可能なGaNトランジスタの採用により、増幅器の高効率化を実現
- チップ部品数を最少化する独自整合回路技術により電力損失を抑制し、世界最高の電力効率43%以上※2を達成
- 増幅器の高効率動作により、基地局の低消費電力化に貢献
今後の展開
出力電力や周波数などの仕様が異なる5G基地局用GaN増幅器モジュールへの本技術適用に向けて、研究開発を進めます。
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2020/0714.html
概要：三菱電機株式会社
詳細は http://www.mitsubishielectric.co.jp をご覧ください。
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