今後大きな需要の伸びが期待されるワイドバンドギャップ半導体。中でもSiC、GaNを上回るバンドギャップを持つ酸化ガリウムはその実用化に多くの期待が寄せられています。FLOSFIAはミストドライ法を独自アプローチで改善したMISTEPITAXY法を用いることで、サファイア基板上にコランダム構造（α型）酸化ガリウム半導体層を形成、極めて良質な単結晶を作ることに成功し、GaO(TM)パワーデバイスの開発に至りました。
新規デバイスの開発を効率的に進めるにはデバイス・シミュレータの活用は欠かせません。シルバコのAtlas/Victory Deviceに代表されるデバイス・シミュレータは先端デバイス、化合物半導体、TFTなど多くのアプリケーションを幅広くサポートしています。
今回FLOSFIAはシルバコのデバイス・シミュレータが酸化ガリウムを用いたパワーデバイスの開発に有効であることを確認し、採用に至りました。
FLOSFIAのCTOである四戸孝氏は次のように述べています。「当社は全く新しい独自の製法により酸化ガリウムデバイスの開発を行っています。このような新規デバイスの開発を効率よく進めるにはデバイス・シミュレーションの活用が重要になってきます。今回シルバコのデバイス・シミュレータを採用するにあたり、シルバコの持つワイドバンドギャップ半導体に対する豊富な実績、パワーデバイスに対する深い知見が決め手となりました。今後の実用化に向けてGaO(TM)パワーデバイスの開発が一層進んで行くものと期待しています。」
シルバコのジェネラルマネージャである亀田直人は、次のように述べています。「車載向けパワーデバイスを始め様々なアプリケーションへの適用が期待されるワイドバンドギャップ半導体には、電力変換回路の小型化、高効率化への期待が多く寄せられています。業界内外で高く評価されるFLOSFIA独自のテクノロジに、シルバコのデバイス・シミュレータが貢献できることは当社の開発者、エンジニアにとっても大きな励みとなります。」
「GaO(TM)」、「ミストドライ」、「MISTEPITAXY」は株式会社FLOSFIAの登録商標または商標です。
概要：株式会社シルバコ・ジャパン
株式会社シルバコ・ジャパンは、1989年に現在のSilvaco, Inc.の日本支社として設立、1995年に日本法人として登記されました。シルバコ・ジャパンは、日本のTCADおよびEDAソフトウェア業界におけるトップ・カンパニーを目指し、技術サポートと営業の強化、研究開発環境の拡充に全力をあげています。本社を横浜ランドマークタワーに置き、京都オフィスとともに充実したサービスを展開しています。
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