現在のカラムA/D変換方式※2のCMOSイメージセンサーは、画素で光電変換したアナログ信号を行毎にA/D変換して読み出す為、行毎の読み出し時間のずれによる画像の歪み（フォーカルプレーン歪み）が発生していました。
本開発品は、新開発の低電流動作可能で小型のA/D変換器を全ての画素の下に配置し、全画素同時に露光したアナログ信号を各々即座にデジタル変換（画素並列A/D変換）した後に、デジタルメモリーで信号を一時保持します。これにより、行毎の読み出し時間のずれによるフォーカルプレーン歪みを解消し、100万画素以上の高感度な裏面照射型CMOSイメージセンサーでは、業界で初めて※3画素並列A/D変換器によるグローバルシャッター機能※1を実現しました。
また、従来のカラムA/D変換方式※2に比べて、およそ1,000倍もの数のA/D変換器の搭載により増大する電流の課題に対しては、業界最高性能※4の低電流動作可能な小型の14ビットA/D変換器を開発することで克服しました。
さらに、A/D変換器およびデジタルメモリーは、積層型構造として下部のチップに配置することで、搭載スペースを確保しました。上部チップの各々の画素との接続には、ソニーが2016年1月に世界に先駆けて量産出荷した、「Cu-Cu（カッパー・カッパー）接続※5」の技術を採用しています。
加えて、A/D変換の為の大量データの読み書きに対しては、新開発のデータ転送機構を搭載することで高速化を実現しています。
本リリースの詳細は下記をご参照ください。
https://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/201802/18-018/index.html
概要：ソニー
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