SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体材料で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されています。従来の電源用途に加え、車載への実装に向けた動きが具体化しており、鉄道車両のインバータモジュールの他、急速に伸長する電気自動車市場においても、車載充電器や急速充電スタンドでSiCパワー半導体への切り替えが進んでいます。
当社のSiCエピウェハー事業は、業界最高水準である HGEの欠陥密度の低さと高い均一性が評価され、市場成長を上回る伸びを示しています。当社は2017年9月に生産能力の引き上げを決定しましたが、年央には新設備もフル生産となる見込みであることから、今回、さらなる投資を決定しました。
当社は今後も、安定供給体制を構築することで、市場からの要求に応えてまいります。
（注）1200V耐圧用デバイス仕様での換算
本リリースの詳細は下記URLをご参照ください。
http://www.sdk.co.jp/news/2018/16050.html
概要：昭和電工株式会社
詳細は www.sdk.co.jp をご覧ください。
本件に関するお問合せ先：
昭和電工株式会社
広報室
03-5470-3235
Copyright 2018 JCN Newswire. All rights reserved. www.jcnnewswire.com
