電源の高効率化に貢献する最新世代プロセスを採用した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETの発売について
PRワイヤー 2022年03月31日 11:00:00
東芝デバイス＆ストレージ株式会社
当社は、データセンターや通信基地局などの産業機器用スイッチング電源向けに、最新世代プロセス[注1]「U-MOSⅩ-H (ユー・モス・テン・エイチ)」を採用した、150V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPH9R00CQH」を発売しました。本日から出荷を開始します。
新製品は、従来世代プロセスU-MOSⅧ-Hの150V耐圧製品「TPH1500CNH」と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗を約42%低減しました。また、素子構造を最適化し、ドレイン･ソース間オン抵抗と2つの電荷量特性[注2]のトレードオフを改善[注3]し、業界トップクラス[注1]の低損失を実現しました。さらに、スイッチング時にドレイン･ソース間に発生するスパイク電圧を低減し、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。
パッケージは、表面実装タイプのSOP Advanceと、表面実装タイプでより汎用性の高いSOP Advance(N)の２種類から選択可能です。
また、回路設計をサポートするツールとして、短時間で回路動作が検証できるSPICEモデル(G0モデル)に加えて、今回、過渡特性の精度を高めたSPICEモデル(G2モデル)を提供開始します。
当社は今後も、損失を低減して電源の効率を高めることができるパワーMOSFETのラインアップ拡充を推進し、機器の低消費電力化に貢献します。
【応用機器】
・通信機器用電源
・スイッチング電源 (高効率DC-DCコンバーターなど)
【新製品の主な特長】
・業界トップクラス[注1]の低損失を実現 (オン抵抗とゲートスイッチ電荷量、出力電荷量のトレードオフを改善)
・業界トップクラス[注1]の低オン抵抗 : RDS(ON)=9.0mΩ (max) ＠VGS=10V
・チャネル温度定格が高い : Tch (max)=175°C
[注1] 2022年3月現在、当社調べ。
[注2] ゲートスイッチ電荷量と出力電荷量
[注3] 既存製品TPH1500CNH (U-MOSⅧ-Hシリーズ) と比べて、ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲートスイッチ電荷量を約20%改善、ドレイン・ソース間オン抵抗×出力電荷量を約28%改善。
【新製品の主な仕様】
(特に指定のない限り、@Ta=25°C)
【表：https://kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M107097/202203239007/_prw_PT1fl_i2zJt8lm.png】
新製品の詳細については下記ページをご覧ください。
TPH9R00CQH
当社のパワーMOSFET製品については下記ページをご覧ください。
MOSFET
高精度SPICEモデル(G2モデル)の詳細については下記ページをご参照ください。
G2モデル
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TPH9R00CQH
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