半導体用FIB-SEMの世界市場2026年、グローバル市場規模（ガリウム液体金属イオン源型、プラズマイオン源型、レーザー支援型、多種類イオン源型）・分析レポートを発表

2026年10月22日
株式会社マーケットリサーチセンター

株式会社マーケットリサーチセンター（本社：東京都港区、世界の市場調査資料販売）では、「半導体用FIB-SEMの世界市場2026年」調査資料を発表しました。資料には、半導体用FIB-SEMのグローバル市場規模、動向、予測、関連企業の情報などが盛り込まれています。

■主な掲載内容
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市場規模と成長予測
世界の半導体用FIB-SEM市場は、2025年に7億4,500万米ドルと評価され、2032年には19億400万米ドルに達すると予測されています。予測期間中の年平均成長率は11.8％と見込まれており、先端半導体の微細化、三次元構造の高度化、先端パッケージング技術の普及を背景に、市場の拡大が期待されています。
半導体用FIB-SEMとは、集束イオンビームによる微細加工機能と走査電子顕微鏡による高分解能観察機能を一体化した精密分析装置です。
同一の高真空容器内にイオンビームと電子ビームを配置し、半導体ウェハーや電子部品の特定領域を加工しながら、表面や断面の構造を観察できます。主に半導体の故障解析、断面加工、透過電子顕微鏡用試料の作製、三次元構造解析などに使用されます。
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市場成長を支える主要要因
市場成長の主な要因は、人工知能向け半導体、高性能計算用半導体、高帯域幅メモリー、三次元積層型記憶装置などの製造技術の高度化です。
先端半導体では、ゲート全周囲型トランジスタや裏面電力供給構造など、複雑な微細構造の採用が進んでいます。これらの製品では、ナノメートル単位で特定領域を加工し、内部構造や欠陥を観察する技術が重要です。
また、複数の半導体チップを組み合わせる先端実装技術や、異種材料を統合するパッケージング技術の普及によって、大面積の断面加工や接合部の分析に対応する装置への需要が増加しています。
半導体メーカーは、製造歩留まりの改善、不良原因の特定、工程条件の最適化を重視しており、高精度な分析装置への設備投資を拡大しています。
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製品種類と技術開発動向
半導体用FIB-SEMは、イオン源技術によってガリウム液体金属イオン源型、プラズマイオン源型、レーザー支援型、多種類イオン源型に分類されます。
ガリウム液体金属イオン源型は、微細な加工領域を高精度に制御できるため、先端半導体の局所解析や極薄試料の作製に適しています。
プラズマイオン源型は、高いイオン電流を利用して大量の材料を短時間で除去できることが特徴です。大型パッケージ、貫通電極、積層メモリー、パワー半導体などの断面加工に使用されます。
多種類イオン源型は、アルゴン、窒素、酸素、キセノンなどを切り替えることで、材料特性に応じた加工を実現します。
レーザー支援型は、レーザーによって対象領域付近まで高速に材料を除去し、その後イオンビームで精密加工を行う方式です。
近年は、自動試料作製、加工中の連続観察、加工位置の自動検出、機械学習による品質評価などの技術開発が進んでいます。
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主要用途と半導体製造分野別需要
主な用途は、透過電子顕微鏡用試料作製、物理的故障解析、特定領域の断面加工、三次元構造解析、製造工程開発、大面積断面観察、回路修正、ナノ加工などです。
透過電子顕微鏡用試料作製と物理的故障解析は、主要な需要分野となっています。微細な半導体構造を解析するため、特定位置から極薄試料を切り出し、電子顕微鏡による詳細観察を可能にします。
先端メモリー分野では、高帯域幅メモリーや三次元積層型記憶装置の内部構造分析に利用されています。
先端パッケージング分野では、貫通電極、微小接合部、ハイブリッド接合、複数チップを統合した構造などの検査に使用されます。
さらに、炭化ケイ素を用いたパワー半導体、微小電気機械システム、光電子部品、化合物半導体などの研究開発にも活用されています。
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地域別市場と競争環境
世界の半導体用FIB-SEM市場は、比較的少数の専門メーカーによって構成されています。
主要企業には、Hitachi High-Tech、Thermo Fisher Scientific (FEI)、Carl Zeiss Microscopy GmbH、JEOL、TESCAN、Raith、Applied Materials、CIQTEK、Shanghai Precision Measurement Semiconductor Technologyなどがあります。
Thermo Fisher Scientificは、ガリウムイオン源型、プラズマイオン源型、多種類イオン源型、ウェハー対応型など、幅広い装置構成を展開しています。
Carl Zeiss Microscopy GmbHは、自動試料作製や高精度観察技術に強みを持ち、Hitachi High-TechやJEOLも半導体解析や電子顕微鏡技術を活用した製品を展開しています。
装置技術の供給拠点は、米国、ドイツ、日本、チェコ、中国などに集中しています。
一方、需要は中国本土、台湾、韓国、日本、米国、欧州などの主要半導体製造地域に集中しています。特に東アジアでは、半導体製造能力の拡大と先端実装技術への投資が市場成長を支えています。
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市場課題と今後の展望
市場拡大における主な課題は、装置の導入費用の高さ、イオンビームによる試料損傷、熟練技術者の不足、製造工程ごとの分析条件の最適化などです。
特に先端半導体では、解析対象の構造が複雑化しているため、加工精度を維持しながら試料への損傷を抑える必要があります。
今後は、レーザーによる高速加工、プラズマイオンビームによる大量除去、ガリウムイオンビームによる精密仕上げを組み合わせた複合加工方式が重要になると考えられています。
また、試料作製工程の自動化、機械学習による加工位置の検出、加工終了点の判定、品質確認なども進展すると予測されています。
本市場調査レポートでは、2021年から2032年までの市場規模、販売数量、平均販売価格について、イオン源技術別、試料対応形式別、用途別、地域別、国別に分析しています。
さらに、主要企業の売上高、市場シェア、競争状況、原材料、製造技術、供給網、販売経路、市場成長要因、制約条件などを評価しています。
半導体用FIB-SEMは、先端半導体の歩留まり改善、故障解析、精密試料作製を支える重要な分析装置として、今後も需要の拡大が期待されています。

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目次

第1章 市場概要
● 1.1 製品概要と調査対象範囲
● 1.2 市場推計の前提条件と基準年
● 1.3 主要イオン源技術別市場分析
o 1.3.1 主要イオン源技術別世界消費額比較（2021年・2025年・2032年）
o 1.3.2 ガリウム液体金属イオン源方式
o 1.3.3 プラズマイオン源方式
o 1.3.4 レーザー支援方式
o 1.3.5 多種イオン対応液体金属合金イオン源方式
● 1.4 試料・ウェハー処理形式別市場分析
o 1.4.1 処理形式別世界消費額比較（2021年・2025年・2032年）
o 1.4.2 ロジック半導体・受託製造
o 1.4.3 メモリー半導体
o 1.4.4 先端パッケージング・異種材料集積
o 1.4.5 パワー半導体・化合物半導体
o 1.4.6 画像センサー・微小電気機械システム・光電子工学
o 1.4.7 成熟製造プロセス・特殊製造プロセス
o 1.4.8 半導体製造装置・材料・研究開発
● 1.5 対象用途別市場分析
o 1.5.1 対象用途別世界消費額比較
o 1.5.2 300ミリメートルウェハー全面対応型
o 1.5.3 150・200ミリメートルウェハー対応型
o 1.5.4 パッケージ・大型試料対応型
o 1.5.5 半導体チップ・ウェハー小片対応型
o 1.5.6 小型試料・標準試料台対応型
● 1.6 用途別市場分析
o 1.6.1 用途別世界消費額比較
o 1.6.2 透過電子顕微鏡・走査透過電子顕微鏡用試料作製
o 1.6.3 物理的故障解析・特定位置の断面加工
o 1.6.4 三次元構造評価・製造プロセス開発
o 1.6.5 先端パッケージング・パワー半導体向け大型断面加工
o 1.6.6 回路修正・ナノ加工・その他
● 1.7 世界市場規模と予測
o 1.7.1 世界消費額（2021年・2025年・2032年）
o 1.7.2 世界販売数量（2021～2032年）
o 1.7.3 世界平均販売価格（2021～2032年）
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第2章 主要メーカーの企業概要
● 2.1 Hitachi High-Tech
● 2.2 Thermo Fisher Scientific (FEI)
● 2.3 Carl Zeiss Microscopy GmbH
● 2.4 JEOL
● 2.5 TESCAN
● 2.6 Raith
● 2.7 Applied Materials
● 2.8 CIQTEK
● 2.9 Shanghai Precision Measurement Semiconductor Technology
各メーカーについて以下の項目を分析します。
● 企業概要および基本情報
● 主要事業と事業活動
● 半導体用FIB-SEMの製品・サービス
● 販売数量、平均販売価格、売上高、売上総利益率、市場シェア（2021～2026年）
● 最近の事業展開および最新動向
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第3章 メーカー別競争環境分析
● 3.1 メーカー別世界販売数量（2021～2026年）
● 3.2 メーカー別世界売上高（2021～2026年）
● 3.3 メーカー別世界平均販売価格（2021～2026年）
● 3.4 市場シェア分析（2025年）
o 3.4.1 メーカー別出荷実績、売上高、市場占有率
o 3.4.2 上位3社の市場シェア
o 3.4.3 上位6社の市場シェア
● 3.5 企業別市場展開状況
o 3.5.1 地域別事業展開
o 3.5.2 製品タイプ別事業展開
o 3.5.3 製品用途別事業展開
● 3.6 新規市場参入企業と参入障壁
● 3.7 合併・買収・事業提携・協業動向
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第4章 地域別消費動向分析
● 4.1 世界市場規模の地域別分析
o 4.1.1 地域別販売数量（2021～2032年）
o 4.1.2 地域別消費額（2021～2032年）
o 4.1.3 地域別平均販売価格（2021～2032年）
● 4.2 北米市場の消費額
● 4.3 欧州市場の消費額
● 4.4 アジア太平洋市場の消費額
● 4.5 南米市場の消費額
● 4.6 中東・アフリカ市場の消費額
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第5章 主要イオン源技術別市場分析
● 5.1 主要イオン源技術別世界販売数量（2021～2032年）
● 5.2 主要イオン源技術別世界消費額（2021～2032年）
● 5.3 主要イオン源技術別世界平均販売価格（2021～2032年）
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第6章 用途別市場分析
● 6.1 用途別世界販売数量（2021～2032年）
● 6.2 用途別世界消費額（2021～2032年）
● 6.3 用途別世界平均販売価格（2021～2032年）
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第7章 北米市場分析
● 7.1 主要イオン源技術別販売数量（2021～2032年）
● 7.2 用途別販売数量（2021～2032年）
● 7.3 国別市場規模と予測
o 7.3.1 国別販売数量
o 7.3.2 国別消費額
o 7.3.3 米国市場規模と予測
o 7.3.4 カナダ市場規模と予測
o 7.3.5 メキシコ市場規模と予測
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第8章 欧州市場分析
● 8.1 主要イオン源技術別販売数量（2021～2032年）
● 8.2 用途別販売数量（2021～2032年）
● 8.3 国別市場規模と予測
o 8.3.1 国別販売数量
o 8.3.2 国別消費額
o 8.3.3 ドイツ市場規模と予測
o 8.3.4 フランス市場規模と予測
o 8.3.5 英国市場規模と予測
o 8.3.6 ロシア市場規模と予測
o 8.3.7 イタリア市場規模と予測
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第9章 アジア太平洋市場分析
● 9.1 主要イオン源技術別販売数量（2021～2032年）
● 9.2 用途別販売数量（2021～2032年）
● 9.3 地域別市場規模と予測
o 9.3.1 地域別販売数量
o 9.3.2 地域別消費額
o 9.3.3 中国市場規模と予測
o 9.3.4 日本市場規模と予測
o 9.3.5 韓国市場規模と予測
o 9.3.6 インド市場規模と予測
o 9.3.7 東南アジア市場規模と予測
o 9.3.8 オーストラリア市場規模と予測
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第10章 南米市場分析
● 10.1 主要イオン源技術別販売数量（2021～2032年）
● 10.2 用途別販売数量（2021～2032年）
● 10.3 国別市場規模と予測
o 10.3.1 国別販売数量
o 10.3.2 国別消費額
o 10.3.3 ブラジル市場規模と予測
o 10.3.4 アルゼンチン市場規模と予測
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第11章 中東・アフリカ市場分析
● 11.1 主要イオン源技術別販売数量（2021～2032年）
● 11.2 用途別販売数量（2021～2032年）
● 11.3 国別市場規模と予測
o 11.3.1 国別販売数量
o 11.3.2 国別消費額
o 11.3.3 トルコ市場規模と予測
o 11.3.4 エジプト市場規模と予測
o 11.3.5 サウジアラビア市場規模と予測
o 11.3.6 南アフリカ市場規模と予測
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第12章 市場の成長要因と課題
● 12.1 半導体用FIB-SEM市場の成長促進要因
● 12.2 市場成長を制約する要因
● 12.3 市場動向と発展傾向
● 12.4 競争環境の五つの要因分析
o 12.4.1 新規参入企業の脅威
o 12.4.2 供給企業の交渉力
o 12.4.3 購買企業の交渉力
o 12.4.4 代替製品の脅威
o 12.4.5 既存企業間の競争
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第13章 原材料と産業構造分析
● 13.1 半導体用FIB-SEMの主要原材料および主要メーカー
● 13.2 製造コストの構成比率
● 13.3 製造工程の分析
● 13.4 産業バリューチェーン分析
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第14章 流通経路別出荷分析
● 14.1 販売経路の分析
o 14.1.1 最終顧客への直接販売
o 14.1.2 販売代理店を通じた販売
● 14.2 主要販売代理店の分析
● 14.3 主要顧客および需要企業の分析
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第15章 調査結果と結論
- 15.1 半導体用FIB-SEM市場の調査結果と総括
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第16章 付録
● 16.1 調査方法
● 16.2 調査手順とデータ出典
● 16.3 免責事項
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【半導体用FIB-SEMについて】

半導体用FIB-SEMとは、集束イオンビーム（Focused Ion Beam：FIB）と走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：SEM）を組み合わせた複合型の高精度分析装置です。FIBによる微細加工機能とSEMによる高分解能観察機能を一体化しており、半導体デバイスの内部構造や微細な欠陥を詳細に解析できます。半導体製造工程における品質管理、故障解析、研究開発などに使用される重要な分析装置です。

半導体用FIB-SEMの主な特徴は、高い空間分解能、精密な断面加工能力、三次元構造解析、局所的な材料分析です。FIBを利用して試料の特定部分をナノメートルレベルで加工し、SEMによって加工面を詳細に観察します。また、連続的な断面加工と画像取得を繰り返すことで、半導体内部の三次元構造を再構築できます。エネルギー分散型X線分析（EDS）などを組み合わせることで元素組成の解析にも対応し、透過電子顕微鏡（TEM）用の薄片試料作製にも利用されます。

種類としては、ガリウムイオン源を使用するGa-FIB-SEM、プラズマイオン源を利用するプラズマFIB-SEM、ヘリウムやネオンなどのイオン源を使用する特殊型装置などがあります。Ga-FIB-SEMは精密な局所加工や微細構造解析に適しており、プラズマFIB-SEMは比較的大きな領域の高速加工に適しています。また、製造ライン向けの自動化対応型や研究開発向けの多機能分析型などもあります。

主な用途は、半導体デバイスの故障解析、製造欠陥の検出、断面構造観察、配線構造評価、材料分析、TEM試料作製、三次元構造解析などです。特に、ロジック半導体、DRAM、NAND型フラッシュメモリ、先端パッケージングなどの分野で活用されています。今後は、半導体の微細化や三次元積層技術の発展を背景に、高速加工、高分解能観察、自動分析、AI画像解析などの技術開発が進み、半導体製造の品質向上と歩留まり改善を支える重要な装置として需要の拡大が期待されています。


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