半導体ガス市場分析レポート：2026年6810百万米ドル規模、成長率6.5%推移
Dream News 2026年10月13日 13:30:00
9月4日、韓国の産業通商資源部およびInvest KOREAは、Air Productsを含む米国のハイテク企業4社が韓国で合計約20億米ドルの投資を行うと発表した。Air Productsは平沢の次世代半導体生産拠点向けに専用の産業ガス供給インフラを整備する。韓国政府によれば、本件はAir Productsの韓国進出後でも最大級の投資案件であり、半導体向け超高純度ガス設備、先端微細プロセス用希ガス設備、水素製造能力などが含まれる。
本件は、Air Productsが4月に発表したSamsung Electronics向け案件と合わせて理解する必要がある。4月29日、同社は平沢の次世代先端半導体Fab向け産業ガス供給プロジェクトを受注したと発表し、複数のオンサイト生産設備およびBulk Specialty Gas Supply Systemを建設・保有・運営し、窒素、酸素、アルゴン、水素を供給する計画を示した。関連設備は2028～2030年に段階的に稼働する予定で、Air Productsは同案件を同社史上最大の半導体分野投資と位置付けている。
したがって、9月の韓国政府による開示は、Air Productsの平沢半導体ガスインフラ拡張計画がさらに具体化し、対象範囲が明確化したものと捉えるのが妥当であり、公開情報が不足する中で別個の独立案件とみなすべきではない。特に新たに示された「希ガス設備」は、従来のFab Bulk Gasから、先端プロセスに必要な高付加価値半導体ガスへとプロジェクトの範囲が拡大したことを示している。
本件の意義
半導体Fabで使用される「ガス」は単一市場ではない。第一のカテゴリーは窒素、酸素、アルゴン、水素などの超高純度大宗ガスで、通常はオンサイト空気分離装置、水素製造設備、専用Pipelineを通じて連続供給される。第二のカテゴリーはNF3、SiH4、NH3、Ne、Kr、Xeなどの電子特ガス・希ガスであり、成膜、エッチング、チャンバー洗浄、イオン注入、リソグラフィ関連工程に直接使用される。両者は供給方式、付加価値、認定期間、顧客スイッチングコストの面で大きく異なる。
大規模な先端Fabにとって、電子大宗ガスは電力、UPW、真空システムと同様の基幹ユーティリティに近づいている。Fabは24時間365日の連続稼働が前提であり、主供給ガスの純度変動、圧力異常、供給停止は多数のProcess Tool停止につながり得る。このため競争軸は単位ガス価格だけでなく、On-site Production能力、配管信頼性、Backup Capacity、Purity Control、緊急対応力、長期運用力を含む総合力へ移行している。
Air Productsの平沢プロジェクトはこのモデルを端的に示す。外部工場からローリーでガスを運ぶだけではなく、サプライヤー自らがオンサイトのガス生産設備を建設・保有・運営し、Fabのユーティリティ配管を通じて連続供給する。Air Productsの公開情報では、オンサイト製造、Bulk Gas、Bulk Specialty Gas Delivery Systemまでをカバーしている。大規模先端Fabが実際に調達しているのは、「ガス＋生産資産＋供給システム＋長期運用サービス」を一体化したソリューションである。
韓国政府が希ガス設備を追加開示したことは、先端ノードにおける需要が単なる数量増加から、「数量・純度・供給安定性の同時向上」へ移っていることも示す。Air Productsの公開資料によれば、Ne、Kr、XeはExcimer Laser、DRAM深溝エッチング、その他プラズマ関連工程などに利用される。プロセスが複雑化するほど、希ガスの供給安定性、現地精製、リサイクル能力の重要性は高まる。
産業への影響
ビジネスモデルの観点では、新設Fabがガスサプライヤーにもたらすのは一過性の設備売上ではなく、長期にわたるガス消費と運用サービス収入である。大型ASU、水素設備、Pipelineは通常Fabと並行して計画・建設され、Qualificationと供給システム認定を完了すると取引関係は高い粘着性を持つ。ガスサプライヤーはFabの設備投資段階で先行投資を行い、長期供給契約を通じて投資を回収し、安定したキャッシュフローを形成する。
これが先端Fab投資サイクルが比較的早い段階で半導体ガス企業に波及する理由である。クリーンルーム面積の増加が直ちにWafer Revenueにつながるわけではないが、オンサイトガス設備、貯槽、ユーティリティ配管、Backup SystemはProcess ToolのRampに先行して整備する必要がある。ガス企業にとってFab ConstructionからTool Move-inまでの期間は、明確な先行インフラ投資ウィンドウとなる。
同時に、1枚のウェハが通過するDeposition、Etch、Clean工程の増加は、ガス需要の強度と構成を変えている。窒素はPurging、Inerting、装置環境制御などの大容量需要を支え続ける一方、アルゴン、水素、各種電子特ガスの使用量は具体的なProcess Flowにより強く左右される。したがって半導体ガス需要を評価する際は、世界のウェハ出荷面積だけでなく、ノード、Layer Count、デバイス3D化、工程数も考慮する必要がある。
韓国市場はその代表例である。SamsungとSK hynixは先端ロジック、DRAM、HBMおよび関連パッケージ能力への投資を継続しており、世界のガス大手は現地資産を積み増している。LindeはSamsung平沢拠点で8基目のオンサイトAir Separation Unitを建設し、超高純度の窒素・酸素・アルゴンを供給すると発表しており、水素は既存オンサイト設備から供給する。Air Liquideも2026年、SK hynixの清州P&T7先端HBMパッケージ・テスト拠点向けに新たな高純度窒素製造設備を建設すると発表した。AIメモリ増産が高純度キャリアガスインフラを直接押し上げている。
この結果、韓国における競争は従来の「製品サプライヤー」から「顧客キャンパス単位のインフラ運営事業者」へと進化している。大規模Fabの長期供給契約を獲得すると、同一顧客向けにASU、Hydrogen、Rare Gas、Specialty Gas設備を継続追加でき、生産・精製・物流・TGCMまで統合サービスを拡張できる。そのため顧客のスイッチングコストは一般的なボンベ型電子特ガス調達より明らかに高い。
競争環境
世界半導体ガス市場は、「総合産業ガス大手4社＋電子特ガス専門企業群」という二層構造を形成している。Air Liquide、Linde、Air Products、Nippon Sansoの強みは特定の単一分子ではなく、電子大宗ガス、電子特ガス、オンサイト製造、配管、精製、TGCM、グローバルFab支援を一体で提供できる点にある。このためTSMC、Samsung、SK hynix、Micron、Intelなど主要Fabの新設・増設案件で高い顧客粘着性を持つ。
Air Liquideは2025年のElectronics売上高が24.65億ユーロに達し、その51%をCarrier Gasesが占め、200基超のオンサイトCarrier Gas設備を運営している。Air Productsは2026年にSamsung韓国先端Fab向けオンサイト製造・Bulk Specialty Gas案件を追加獲得し、Nippon SansoもElectronicsを主要成長事業として位置付けている。
第二グループは高付加価値分子と用途に特化し、SK SpecialtyはNF3、WF6などで世界的に強く、MerckはEtching、Cleaning、Deposition、Dopingまで幅広い電子特ガスを展開、Kanto DenkaやResonacはNF3、WF6、HBr、HF、新規フッ素系Etch Gasで専門性を持つ。今後の競争軸は「純度と価格」だけでなく、新規分子開発、先端ノード共同認定、現地生産能力、供給安定性、低GWP対応へ移る。
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中国の半導体ガス企業は、初期の「単一製品の国産化代替」から、「多品種電子特ガス＋電子大宗ガス＋オンサイト供給」へと事業領域を拡大している。
代表的な第一グループには中船特气、?特气体、金宏气体、南大光電があり、中巨芯、杭氧、和?气体、?美特气なども重要なプレイヤーである。中船特气はNF3、WF6などで規模を拡大し、世界および中国の主要Fabサプライチェーンに参入している。?特气体は電子特ガスの品揃えと海外顧客認定を拡大し、金宏气体は電子特ガス・電子大宗キャリアガス・TGCMを同時展開する総合ガスモデルを強化、南大光電はPH3、AsH3、BF3、NF3、SF6などで技術蓄積を持つ。
今後はHBr、先端フッ素系エッチングガス、高純度WF6、同位体ガス、新規成膜ガス、先端ノード向けカスタム混合ガスへ国産化領域が広がり、海外大手Fabでの認定取得も増えるとみられる。中国Fabの増設とセカンドソース化により中国企業の世界シェア拡大が期待されるが、製品ポートフォリオ、グローバル物流、オンサイト供給、先端ノード共同開発ではAir Liquide、Linde、Air Productsとの差が残る。
製品構成
金額ベースでは、世界半導体ガス市場は電子特ガスが明確に主導している。電子特ガスの構成比は2025年の約74.0%から2032年には約76.5%へ上昇し、市場規模は約47.4億米ドルから約76.0億米ドルへ拡大すると推計する。一方、N2、O2、Ar、H2などの電子大宗ガスも絶対需要は増加するものの、単価が低く、大型オンサイト設備、Pipeline、長期Take-or-Pay方式の比率が高まるため、金額構成比は26.0%から約23.5%へ低下する見通しである。
電子特ガスの比率上昇を支えるのは、先端ロジック、HBM、先端DRAM、3D NANDで高純度化、分子設計、用途最適化の要求が強まることである。先端EtchではC4F6、C4F8、HBr、Cl2、HF、新規低GWPフッ素系ガスの需要が増え、先端DepositionではWF6、SiH4、Si2H6、NH3などの成膜ガス需要が拡大する。長期的には、大宗ガスがFabの「インフラ層」を担い、電子特ガスが市場価値の増分を主に生み出す。
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細分製品別では、今後の構造的な成長機会はエッチング／チャンバー洗浄と薄膜成膜に集中する。両者の合計構成比は2025年の50.0%から2032年には55.5%へ上昇すると予測する。エッチング・チャンバー洗浄ガスは26.0%から29.0%へ上昇し、GAA、先端DRAM、高層3D NANDに伴う高アスペクト比Etch、Cryogenic Etch、洗浄頻度の増加が主因となる。
成膜ガスおよびSi／金属前駆体ガスは24.0%から26.5%へ上昇し、WF6、SiH4、Si2H6、NH3などのALD/CVD関連ガスが、金属配線、3D NAND高層化、立体的なトランジスタ構造により成長する。ドーパントガスは金額では増加するものの、イオン注入が成熟しているため構成比は概ね横ばい。HBr、Cl2、BCl3などの腐食性・反応性ガスも増加するが、一部従来化学系はより高度で低GWPのEtch Chemistryに置換される。
リソグラフィ・希ガスはKrF/ArF露光や先端プロセスに支えられるものの、Etch/Depositionの伸びがより速いため構成比は7.5%から6.0%へ低下する見通し。電子大宗ガスはFab能力の増加に伴い安定成長するが、オンサイト供給、配管化、規模の経済により金額成長率は特ガスを下回る。
市場規模・現状・トレンド・成長要因
QYResearch「世界および中国の半導体ガス市場の現状と展望 2026-2032」によれば、世界半導体ガス市場は従来の「ウェハ投入量主導」から、「ウェハ面積の増加＋プロセス複雑化＋ウェハ当たり材料価値の上昇」が共同で成長を牽引する段階へ移行している。世界市場規模は2025年約64億米ドル、2026年約68.1億米ドルと推計される。
先端ノード、AI/HPC、HBM、先端DRAM、高層3D NANDへの投資継続に加え、GAA、EUV、マルチパターニング、ALD/CVDサイクル増加、高アスペクト比Etchによるガス使用強度の上昇を踏まえると、2032年には約99.4億米ドルに達し、2026-2032年CAGRは約6.5%となる見通しである。
SEMIは2026年の世界300mm前工程装置投資を約1,420億米ドル、そのうち300mmメモリ装置投資を約520億米ドルと見込んでいる。HBM、DDR5、高層3D NANDが主要成長分野となり、先端ロジックも2nm GAAおよび次世代ノードへ移行する。デバイスの3D化によりEtch、Deposition、Clean、Anneal、Carrier Gas工程が増えるため、半導体ガス需要はウェハ面積だけを基準とした成長率を上回る可能性がある。
長期トレンドとしては、(1)電子特ガスの金額構成比上昇、(2)高純度化の継続、(3)Etch/Deposition関連ガスの高成長、(4)低GWPガスおよび排出削減ソリューションの導入加速、(5)Fabガス供給の現地化・デュアルソース化、の5点が重要である。一方、ヘリウム、フッ素系原料、タングステン原料、一部希ガスには資源制約があり、地政学、サプライチェーン安全保障、環境規制が供給と価格に影響し続ける。
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https://www.qyresearch.co.jp/reports/1618562/semiconductor-gases
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