日本のSiC半導体製造市場：EVパワートレイン需要と先端パワーエレクトロニクスがSiC生産拡大を加速
Dream News 2026年09月28日 09:30:00
SiCは、低電力損失、高温動作、高速スイッチングなど、パワーエレクトロニクスにおける優位性を提供します。これらの特性により、効率、熱性能、電力密度が重要となる用途での採用が進んでいます。
日本のSiC半導体製造市場は、電気自動車、再生可能エネルギー、産業システム全体で高効率パワーエレクトロニクスへの需要が高まる中、勢いを増しています。SiC生産能力および先進的な製造技術への投資拡大により、2036年まで市場に大きな成長機会が生まれると予想されています。
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日本では、基板、エピタキシャルウェハ、ウェハ加工、SiC MOSFET、モジュール、パワーエレクトロニクスシステムにまたがる強固な国内SiCエコシステムが構築されています。2025～2026年の主な動向としては、三菱電機の熊本県における8インチSiCウェハ施設、ROHMによる8インチSiC MOSFET製造ラインの開発成功、日本のパワー半導体企業による継続的な投資などが挙げられます。
より大型のウェハと高生産量の製造への移行は、日本のSiC半導体サプライチェーン全体にわたってビジネス機会を創出しています。
8インチSiCウェハ製造が主要な成長要因に
日本における最も重要なトレンドの一つは、6インチから8インチ（200mm）SiCウェハへの移行です。
大型ウェハは1枚のウェハから取得できるダイ数を増やし、生産量の増加に伴って製造経済性を改善する機会をもたらします。しかし、SiC製造を200mmへ拡大するには、結晶品質、ウェハ均一性、エピタキシャル成長、欠陥制御、製造歩留まりに関する高度な要件が伴います。
ROHMは2026年4月、8インチSiC MOSFET製造ラインの開発を完了し、NEDOプロジェクトの技術目標を当初の予定より2年前倒しで達成したと発表しました。同社は8インチSiCウェハ向けのエピタキシャル成長技術と、オン抵抗の低減を目的とした技術を確立し、その後、外部評価を通じて目標性能を確認しました。
三菱電機も熊本県に8インチSiCウェハ製造施設を開発しています。白水工場は2025年10月に完成し、2026年にパイロット生産を開始する予定とされており、省エネルギー型クリーンルーム設備と自動化された生産システムを導入しています。
これらの動向は、日本における大口径SiC製造の商業化を加速させています。
EVの電動化がSiC半導体需要を支える
電気自動車は、SiCパワー半導体にとって依然として最も重要な用途分野の一つです。
SiC MOSFETはトラクションインバータの電力損失を低減できるため、メーカーはより高い効率を実現するとともに、より小型の電力変換システムを目指すことが可能になります。
三菱電機は2026年6月、第5世代SiC-MOSFETチップのサンプル出荷を開始しました。同社によると、新しいトレンチ構造デバイスは従来製品と比較して約25％低いオン抵抗を実現しており、xEVトラクションインバータおよびeAxle用途を対象としています。
三菱電機のこれまでの投資計画でも、SiCウェハ生産能力の大幅な拡大が目標とされており、熊本県の新しい8インチウェハ工場に加え、既存の150mm生産設備の強化も含まれています。
したがって、日本のSiC製造市場におけるEV需要は、以下の分野全体でビジネス機会を創出しています。
SiC基板
エピタキシャルウェハ
SiC MOSFET
ショットキーバリアダイオード
パワーモジュール
インバータシステム
eAxleパワーエレクトロニクス
自動車用パワーマネジメントシステム
産業および鉄道用途も引き続き重要
SiC市場は自動車に限定されません。
日本には、エネルギー効率、信頼性、高温動作が重要となる、産業および鉄道向けの大規模なパワーエレクトロニクスエコシステムがあります。
三菱電機によると、同社のSiCパワーモジュールは、2010年にSiCパワー半導体モジュールを製品化して以来、エアコン、産業機器、鉄道車両用インバータシステムに採用されています。
同社はまた、パワーデバイスの製品ポートフォリオを拡大しながら、インフラ用途や新たな市場に向けてSiCを展開しています。同社の2026年の半導体戦略では、インフラ分野での機会に加え、民生機器やその他の新興用途へのSiCの展開拡大が示されています。
この多様化により、単一の最終市場への依存を低減し、日本のSiCメーカーにとっての対象市場機会を拡大することができます。
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SiC製造技術ロードマップ
日本のSiC製造エコシステムは、複数のプロセス段階にわたって発展しています。
1. SiC結晶成長
基板の欠陥が下流のデバイス歩留まりに影響を及ぼす可能性があるため、高品質なSiC結晶の生産は不可欠です。
2. ウェハ加工
メーカーは、表面品質、厚さ均一性、欠陥管理を改善しながら、ウェハ径の大型化を進めています。
3. エピタキシャル成長
高性能パワーデバイスには、エピタキシャル層の厚さとドーピング特性を厳密に制御する必要があります。
4. デバイス製造
トレンチMOSFETアーキテクチャ、改良型ゲート構造、低抵抗設計が、デバイス性能向上を目的として開発されています。
5. 組立およびパッケージング
先進的なパワーモジュールには、低インダクタンス接続、熱管理、長期信頼性が求められます。
6. 試験および検査
メーカーが高生産量の200mm生産へ移行するにつれて、欠陥検査および電気的試験の重要性がますます高まっています。
トレンチSiC-MOSFET技術が新たな機会を創出
トレンチSiC-MOSFETは、日本におけるデバイス開発の重要な分野です。
三菱電機の2026年第5世代SiC-MOSFETは、独自のトレンチ構造を採用し、長時間動作時の安定した性能を維持しながら、オン抵抗の低減を目指しています。
2026年1月、三菱電機はEVトラクションインバータ、車載充電器、再生可能エネルギー用電源などの用途を対象とした4種類の新しいトレンチSiC-MOSFETベアダイも発表しました。
先進的なトレンチアーキテクチャへの移行により、以下のような専門技術・装置への需要が生まれています。
エッチング装置
イオン注入
酸化プロセス
ゲート酸化膜技術
メタライゼーション
ウェハ検査
信頼性試験
パッケージング技術
その結果、SiC製造市場は、デバイスメーカーと半導体製造装置サプライヤーの双方にビジネス機会を創出しています。
製造歩留まりが重要な競争要因に
SiC製造は、欠陥がデバイス性能や歩留まりに大きな影響を及ぼす可能性があるため、依然として技術的に高度な要求が伴います。
日本のメーカーが200mm生産へ移行する中、より大きなウェハ面積全体にわたって欠陥を制御する能力がますます重要になっています。
主な製造上の優先事項には、以下が含まれます。
マイクロパイプの低減
転位制御
表面欠陥の低減
エピタキシャル均一性
ウェハ平坦度
厚さ制御
安定したドーピング
ゲート酸化膜の信頼性
歩留まりの最適化
ROHMの2026年の発表では、8インチエピタキシャル成長技術および低オン抵抗技術の開発が具体的に強調され、低抵抗化と製造歩留まりの向上による競争力が期待されると説明されています。
これにより、歩留まりエンジニアリングとプロセス制御は、日本のSiC製造エコシステムにおける主要なビジネス機会となっています。
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AIデータセンターが新たなSiC用途を創出
新たな機会の一つとして、AIデータセンターの電力インフラにおけるSiC技術の利用が挙げられます。
AIデータセンターは大量の電力を必要とし、より高度な電力変換アーキテクチャが求められるようになっています。高電圧スイッチングを効率的に実行できるパワーデバイスは、電源および関連インフラにおける効率と電力密度の要件への対応に貢献できます。
三井物産戦略研究所は2026年、ROHMなどの企業がAIデータセンター用電源を含む新たな用途向けにSiC技術を開発していると報告しました。同分析では、AIデータセンター向けSiC JFET技術の開発が具体的に強調されています。
これにより、自動車用途を超えた新たな成長経路が生まれます。
SiC半導体 → 高効率な電力変換 → AIデータセンターインフラ
この機会は、日本が国内のAIおよびデータセンターインフラを拡大する中で、特に重要となっています。
再生可能エネルギーおよび電力網用途
再生可能エネルギーシステムにも、効率的な電力変換が求められます。
太陽光発電用インバータ、エネルギー貯蔵システム、系統連系型電力機器は、高電圧に対応しながら効率的なスイッチングが可能なパワー半導体技術の恩恵を受けることができます。
三菱電機の新しいSiC-MOSFETベアダイは、再生可能エネルギー用電源を含む用途向けに設計されており、SiCが車両の電動化以外にも用途を拡大していることを示しています。
日本における潜在的な用途には、以下が含まれます。
太陽光発電用インバータ
蓄電池エネルギー貯蔵システム
系統用コンバータ
HVDC関連機器
産業用電源
風力発電システム
エネルギーマネジメント機器
日本政府の支援が製造エコシステムを強化
政府が支援する半導体およびサプライチェーン関連の取り組みが、日本国内のパワー半導体製造能力の発展を支えています。
日本の経済産業省（METI）は、主要半導体企業が関与する供給確保プロジェクトを掲載しており、その中にはROHM、ラピスセミコンダクタ、東芝デバイス＆ストレージ、加賀東芝エレクトロニクスが関与する2023年承認のプロジェクトが含まれています。同プロジェクトの補助上限額は約1,294億円です。別の2024年の富士電機とデンソーによるプロジェクトでは、補助上限額が約705億円となっています。
これらのプログラムは、国内の半導体製造能力の強化を日本が戦略的に重視していることを示しています。
日本のSiC製造エコシステム
競争環境には、SiCバリューチェーンのさまざまな段階で事業を展開する企業が含まれています。
ROHM
ROHMは8インチSiC MOSFET製造およびエピタキシャル技術を開発しています。同社が2026年に発表したNEDOプロジェクトは、大型ウェハ生産への移行における重要なマイルストーンとなっています。
三菱電機
三菱電機は、SiCウェハ製造、デバイス開発、モジュール能力を拡大しています。熊本県の白水工場は8インチSiCウェハ加工を中心に設計されており、福岡の事業拠点ではパワーモジュールの組立および検査能力が拡張されています。
デンソーおよび富士電機
デンソーと富士電機は、共同投資プログラムおよび日本のサプライチェーン政策による支援を受け、パワー半導体の製造能力を拡大しています。
ルネサス エレクトロニクス
ルネサスはSiCサプライチェーンにも関与してきましたが、市場環境や競争環境の変化を受け、その戦略は変化しています。2026年の業界分析によると、ルネサスは一部のSiC開発および工場投資計画を中止し、甲府工場をシリコンMOSFETおよびGaN生産へ転換しました。
これは、SiC業界の競争構造が急速に変化していることを示しています。
主なビジネス機会
日本のSiC半導体製造市場は、製造チェーン全体にわたってビジネス機会を創出しています。
8インチSiCウェハ： 200mm基板およびウェハ加工能力の拡大。
エピタキシャル技術： 均一性が向上し、欠陥密度が低減された高品質エピタキシャル層。
SiC MOSFET： 次世代トレンチアーキテクチャおよび低オン抵抗デバイス。
パワーモジュール： より高い電力密度、改善された熱管理、低い寄生インダクタンス。
製造装置： SiCのエッチング、イオン注入、成膜、酸化、検査、試験向けの専用装置。
自動化： 200mm SiC生産向けスマートファクトリーシステム。
検査： 高度な欠陥検出およびウェハメトロロジー技術。
AIインフラ： 高密度データセンター向けSiCベースの電力変換。
再生可能エネルギー： 太陽光発電、蓄電、系統変換機器向けSiCパワーデバイス。
日本のSiC半導体製造市場の展望
日本のSiC半導体製造市場は、技術開発段階から大規模な産業製造へと移行しています。
最も重要な構造的変化は、8インチSiC生産への移行です。ROHMはすでに8インチ製造ラインの開発成功を報告しており、三菱電機は熊本県に8インチウェハ施設を設立し、2026年中のパイロット生産を計画しています。
デバイスレベルでは、日本のメーカーが同時にトレンチMOSFETアーキテクチャを改良し、オン抵抗を低減するとともに、自動車システム以外へのSiC用途を拡大しています。
市場の次のフェーズは、200mm製造歩留まり、基板品質、生産コスト、EV需要、産業分野での採用、パワーモジュールの信頼性、AIデータセンターや再生可能エネルギーインフラなどの新たな高効率用途への展開といった複数の要因に左右されます。
日本のメーカーおよびサプライヤーにとって、今後の機会は、高品質ウェハ、スケーラブルなデバイス製造、コスト競争力のあるパワーモジュールを提供できる統合型SiCエコシステムの構築にますます存在します。
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