東京、日本 - 日本のHigh-NA EUV材料市場は、半導体メーカーがより微細なプロセスノードと、ますます複雑化するトランジスタアーキテクチャへ移行する中、重要な発展段階に入っています。従来型EUVから、開口数(NA)0.55のHigh-NA EUVへの移行により、フォトレジスト、ペリクル、光酸発生剤、金属酸化物材料、プロセス薬品、その他のリソグラフィ関連材料に対する新たな要件が生まれています。

日本のHigh-NA EUV材料市場は、日本が次世代半導体製造および超微細リソグラフィ技術を推進する中で勢いを増しています。先端フォトレジスト、マスク、コーティング、プロセス材料への需要拡大により、2036年まで半導体エコシステム全体で大きな機会が生まれると予想されています。

この機会は日本にとって特に重要です。日本には強固な半導体材料エコシステムが存在する一方、国内の先端半導体製造能力の再構築も進んでいます。最近の日本の業界動向では、企業が従来型のリソグラフィ薬品を供給するだけでなく、次世代EUV材料へ直接投資していることが示されています。

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ASMLは、0.55 NAのHigh-NA EUVプラットフォームをEUVリソグラフィの次のステップとして位置付けており、半導体のさらなる微細化に向けて、より高い解像度とオーバーレイ性能を提供することを目指しています。

日本の2nm投資が次世代材料の需要を創出

日本の先端半導体製造能力の開発は、High-NA対応材料にとって重要な需要成長要因となっています。

Rapidusは北海道で2nmクラスのゲート・オール・アラウンド半導体技術を開発しており、日本のより広範な半導体製造装置・材料エコシステムは、AIサーバーや先端チップへの投資拡大の恩恵を受けています。

需要環境は、日本の半導体サプライチェーン全体ですでに顕在化しています。SEAJは、AIサーバー向け先端ロジックやDRAM投資などを背景に、日本製半導体製造装置の売上高が2026年度に5兆5,000億円に達すると予測しています。

先端ファブがより大規模な生産へ移行するにつれて、材料サプライヤーには、ますます厳格化するリソグラフィ要件に基づいて製品を認定することが求められます。

High-NA EUVフォトレジストが戦略的材料カテゴリーに

フォトレジストは、最終的に露光パターンをウェーハ上へどれだけ正確に転写できるかを左右するため、High-NA EUVにおいて最も重要な材料カテゴリーの一つです。

High-NA EUVでは、レジスト性能に対してより高度な要求が課され、以下の特性のバランスが必要となります。

解像度
感度
ラインエッジラフネス
パターン倒壊耐性
エッチング耐性
アウトガス制御
欠陥率
均一性
プロセス安定性

日本企業は、既存のEUVレジスト技術に代わる技術や、その性能向上に向けた開発を積極的に進めています。

2026年2月、東京応化工業は、英国のIrresistible Materialsと、同社の**Multi-Trigger Resist(MTR)**プラットフォームをめぐる戦略的投資および共同開発パートナーシップを発表しました。この技術は、High-NAを含む次世代EUV用途に向けて、従来型の化学増幅型レジストや金属酸化物レジストを補完するアプローチとして位置付けられています。

金属酸化物レジストが新たな成長セグメントを形成

金属酸化物レジストは、その材料特性により、ますます高度化するリソグラフィに必要な解像度とエッチング性能の要件を満たせる可能性があることから、注目を集めています。

ADEKAは特に直接的なアプローチを進めています。2025年10月、同社は茨城県の鹿島ケミカル工場に、次世代High-NA EUVリソグラフィ向け金属酸化物レジストに使用される有機金属化合物の新工場を建設する計画を発表しました。

これは、日本市場にとって重要な動きです。High-NA EUV需要がすでに上流の化学品生産への投資に影響を与えていることを示しているためです。

この機会は以下の分野に広がっています。

有機金属化合物
金属酸化物レジスト配合材料
レジスト前駆体
溶剤
現像液
特殊精製
レジスト処理薬品

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高出力EUVが新たなペリクル課題を創出

High-NA EUVは、レジストだけの課題ではありません。

EUVシステムがより高出力で動作するにつれて、ペリクルには高いEUV透過率を維持しながら、強い放射線や熱条件に耐えることが求められます。マスクの損傷や汚染は、生産性や歩留まりに重大な問題を引き起こす可能性があります。

2026年4月、三井化学は、高出力EUVリソグラフィ向けペリクルに特化したプロジェクトでNEDOに採択されました。同社は、高出力条件下で耐久性と高透過率を両立するペリクルを開発しており、先端ロジック・メモリ製造を支援することを目指しています。

これにより、High-NAペリクルは日本で最も戦略的に重要な新興材料カテゴリーの一つとなっています。

カーボンナノチューブペリクルが市場機会を拡大する可能性

日本の材料エコシステムでは、代替ペリクルアーキテクチャの研究も進められています。

LintecはAISTと協力し、カーボンナノチューブをベースとしたEUVペリクルの量産技術に取り組んでいます。業界報道によると、同社はEUV関連ペリクル材料の生産を目指しており、CNT構造が次世代リソグラフィにおける厳しい光学・熱条件への対応を支える可能性が示されています。

これにより、以下の分野で企業に機会が生まれています。

カーボンナノチューブ
ナノ材料
薄膜構造
膜技術
EUV透過材料
ペリクルフレーム・パッケージング
汚染制御材料

日本企業がEUV材料パイプラインを拡大

日本のHigh-NA市場における機会は、既存の半導体材料サプライヤーを超えて拡大しています。

注目すべき最近の動向として、王子ホールディングスが挙げられます。2026年9月、同社は、次世代半導体製造を対象として、High-NA EUV条件下で木質バイオマス由来フォトレジストを用いた10nmラインパターンの形成に成功したと発表しました。

これは、日本の材料産業が従来型の半導体材料配合だけに依存するのではなく、新たな化学原料やレジストアーキテクチャを研究していることを示す重要な動きです。

2026年に発表された研究では、バイオマス由来EUVレジストについても検討されており、化学構造の最適化によってエッチング耐性や感度が向上することが実験的に示されています。

光酸発生剤が重要な関連市場に

高性能EUVフォトレジストは、光酸発生剤(PAG)を含む、綿密に設計された関連材料に依存しています。

2026年8月、ADEKAはEUVリソグラフィを含む先端フォトレジストに使用されるPAGの生産能力を拡大する計画を発表しました。千葉県の施設に新たな生産ラインを設置し、生産能力を約2倍にする計画で、2028年9月の商業稼働が予定されています。

これは、High-NA EUVの機会が完成したフォトレジストの段階より下流ではなく、フォトレジストを構成する高純度化学中間体や機能性添加剤といった下位レベルにも投資機会を創出していることを示しています。

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日本のEUVエコシステムが統合化

日本のHigh-NA EUV材料市場は、EUV装置の導入拡大と並行して発展しています。

ASML Japanは2026年9月、日本の売上高がASML全体の約5%に達したと報告しており、AISTでHigh-NA EUV装置が導入されるとともに、EUVシステムが日本の半導体エコシステムへ導入されていることを明らかにしました。同社はまた、日本国内の人員拡大とエコシステム連携の強化に向けた計画も示しています。

これにより、以下のような相乗的なサイクルが形成されています。

先端ファブ → High-NA EUV装置 → 新材料の認定 → プロセス開発 → 材料の量産拡大 → 国内供給安定性の向上

日本のサプライヤーにとって、これはグローバルな半導体材料サプライチェーンに長期的に参画する機会を生み出す可能性があります。

AIチップが長期的な需要見通しを強化

根本的な需要成長要因は、AIコンピューティングの急速な拡大です。

AIプロセッサには、ますます高度なトランジスタアーキテクチャ、高密度インターコネクト、高性能メモリが必要となります。半導体メーカーがより微細な形状へ移行するにつれて、リソグラフィは先端材料への依存度を高めています。

日本の製造業の景況感も、すでにこのサイクルの恩恵を受けています。2026年9月のReuters調査では、日本の大手製造業者の景況感が2021年12月以来の最高水準に達し、半導体・データセンター需要が特に電子機器関連企業を支えています。

これにより、日本の材料企業が大規模生産量に到達する前からHigh-NA対応材料へ投資することに、長期的な商業的合理性が生まれています。

サプライチェーンの安全保障がより重要に

半導体材料は、戦略的なサプライチェーン問題にもなっています。

日本は高純度化学品に強みを持っていますが、最近の貿易動向は、世界各地に分散した材料サプライチェーンが潜在的な脆弱性を抱えていることを示しています。中国による高純度半導体製造用化学品であるジクロロシランに影響する日本向け輸出規制を受け、日本は最近、中国側に抗議しました。

High-NA EUVにおいて、これは以下の価値をさらに高めています。

国内化学品生産
複数の認定サプライヤー
国内精製能力
安定した原材料調達
地域生産能力
長期供給契約
リサイクル・材料効率化技術

日本のHigh-NA EUV材料市場の展望

日本のHigh-NA EUV材料市場は、フォトレジスト、金属酸化物材料、PAG、ペリクル、ナノ材料、関連プロセス薬品にまたがる多層的な先端材料市場へと発展しています。

最も魅力的な機会は、解像度、感度、欠陥制御、熱安定性、EUV透過率、製造歩留まりを同時に改善できる材料の分野で生まれる可能性があります。

また、日本国内の2nm半導体構想や、特殊化学品、精密材料、半導体製造装置における確立された強みも市場を支えると予想されます。

次の段階では、研究室での実証から材料認定、パイロット生産、高量産対応へとますます移行すると考えられます。三井化学、ADEKA、東京応化工業などの企業による最近の投資は、この移行がすでに始まっていることを示しています。

主なビジネス機会

High-NA EUVフォトレジスト
金属酸化物レジスト
マルチトリガーレジスト技術
高感度EUVレジスト材料
EUV光酸発生剤
高出力EUVペリクル
カーボンナノチューブペリクル
先端ナノ材料
有機金属レジスト前駆体
EUV対応溶剤・現像液
超高純度プロセス薬品
レジスト欠陥低減技術
EUV汚染制御材料
持続可能・バイオマス由来レジスト
先端材料精製
国内半導体材料生産
材料認定・プロセス開発サービス

日本のHigh-NA EUV材料市場レポート:主な対象分野

日本のHigh-NA EUV材料市場の展望
High-NA EUVフォトレジスト技術
金属酸化物レジスト材料
化学増幅型レジスト
マルチトリガーレジスト技術
光酸発生剤
高出力EUVペリクル
カーボンナノチューブペリクル
有機金属化合物
EUVプロセス薬品
先端半導体材料の精製
2nm半導体製造要件
AI半導体リソグラフィ需要
EUV材料サプライチェーンの国内化
持続可能・バイオマス由来レジスト技術
材料認定・プロセス制御
日本の半導体材料企業



配信元企業:KDマーケットインサイツ株式会社
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情報提供元: Dream News
記事名:「 日本のHigh-NA EUV材料市場:先端フォトレジスト、高出力ペリクル、2nm半導体投資が新たな成長機会を創出