化合物半導体市場は近年力強い成長を続けており、2025年の842億9,000万ドルから2026年には911億1,000万ドルへ、年平均成長率(CAGR)8.1%で拡大する見込みです。過去の成長は、光電子デバイスへの採用拡大、RFエレクトロニクス需要の伸び、太陽光発電分野での早期導入、LED需要の高まり、光ファイバー通信技術の普及によるものです。

今後も成長は続き、2030年には1,240億6,000万ドル、CAGR 8.0%に達すると予測されます。予測期間の成長要因としては、高周波半導体ニーズの拡大、EV向けパワーエレクトロニクスの伸長、先進データセンターでの利用増加、5Gおよび6Gインフラの拡大、次世代フォトニクスデバイスの開発が挙げられます。

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成長ドライバー:電気自動車(EV)の普及
EVの普及が市場拡大を後押ししています。化合物半導体は、EVにおいて電力効率の向上と、エネルギー変換・制御を担う高性能エレクトロニクスの実現に用いられます。国際エネルギー機関(IEA)によれば、2024年の世界EV販売台数は1,700万台に達し、前年比25%超の増加、2023年比では350万台の上積みとなりました。

市場トレンド:GaN技術によるパワーシステムの刷新
主要各社は、窒化ガリウム(GaN)技術を組み合わせ、高性能かつ統合度の高いパワーシステムの需要に応えています。一例として、2023年3月に Navitas Semiconductor(米国)が APEC 2023 で GaNSense Control IC を発表しました。高速・高電圧の GaN と低電圧シリコンのシステムコントローラを統合したもので、従来比で最大20倍の動作速度、3倍の電力処理能力、3倍の充電速度を、より小型軽量な筐体で実現しています。EVシステム、データセンター、家電、充電機器など幅広い用途に対応します。

M&A動向
2023年3月、独 Infineon Technologies が GaN Systems(カナダ)を8億3,000万ドルで買収しました。電力変換技術の強化により、EV、再生可能エネルギー、産業用途という成長市場での地位を固める狙いです。

地域別動向
2025年の最大地域はアジア太平洋、予測期間中の最速成長地域は北米です。対象地域はアジア太平洋、東南アジア、西欧、東欧、北米、南米、中東、アフリカ。対象国には日本、台湾、中国、韓国、米国、ドイツなど16カ国が含まれます。

セグメンテーション
種類別: ガリウムヒ素(GaAs) | 炭化ケイ素(SiC) | リン化インジウム(InP) | シリコンゲルマニウム(SiGe) | リン化ガリウム(GaP) | その他
成膜技術別: 化学気相成長(CVD) | 分子線エピタキシー | ハイドライド気相成長(HVPE) | アンモノサーマル法 | 液相エピタキシー | 原子層堆積(ALD) | その他
用途別: 一般照明 | 通信 | 防衛・航空宇宙 | 自動車 | 電源 | データコム | コンシューマーディスプレイ | 商業用途 | 民生機器 | その他

主要企業
Wolfspeed, Inc.、IQE plc、II-VI Incorporated、AXT Inc.、昭和電工(Showa Denko K.K.)、Freiberger Compound Materials GmbH、Sanan Optoelectronics、Soitec、MACOM Technology Solutions、住友電気工業(Sumitomo Electric Industries, Ltd.)、Cree, Inc.、Qorvo, Inc.、Skyworks Solutions, Inc.、ams-OSRAM AG、Aixtron SE、Applied Materials, Inc.、Veeco Instruments Inc. ほか

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情報提供元: Dream News
記事名:「 化合物半導体市場、2030年に1,240億6,000万ドルへ EV普及と次世代パワーエレクトロニクスが牽引