リテルヒューズ、SiC MOSFETゲート保護向けに業界初の非対称 TVS ダイオードシリーズを発表
Dream News 2024年11月08日 13:00:00
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「SMFA非対称シリーズ」は、SiC MOSFET特有のゲート保護要件に特化して設計された、市場で唯一のTVSダイオードです。複数のツェナーやTVSダイオードを必要とする従来のソリューションと異なり、この「SMFA非対称シリーズ」は、ゲート駆動回路のリンギングやオーバーシュート現象からの保護を単一のコンポーネントで効率的に行うため、貴重なPCBスペースの削減と回路設計の簡素化が可能となります。
■特長
・非対称設計：SiC MOSFET特有の正負のゲート定格電圧への対応を前提に設計されているため、精密で信頼性の高い保護を提供します。
・単一コンポーネントソリューション：複数のツェナーおよびTVSダイオードとの置き換えが可能なため、コンポーネント数の削減と回路レイアウトの簡潔化に寄与します。
・スペース効率性：複数の保護機能を1つのコンポーネントにまとめることで、PCBスペースの削減とよりコンパクトで効率的な設計を支援します。
・互換性：既存のすべてのリテルヒューズ製品や他の主要SiC MOSFET製品との互換性を確保し、幅広いアプリケーションに使用できる汎用性の高いソリューションです。
■用途
・AI・データセンター用サーバー電源：高度なコンピューティング環境で重要となる、電源の信頼性と効率性を向上させます。
・高効率電気自動車インフラ（EVI）電力システム：EV充電ステーションやこれに関連する電力システムに堅牢なゲート保護を行い、高い耐久性とパフォーマンスを提供します。
・高信頼性半導体・産業機器用電源：産業機器や半導体製造装置といった、信頼性と耐用時間が最も求められる電源を保護します。
■仕様
ピンアウト１：A-K
ピンアウト２：K-A
最小ブレークダウン電圧（VBR A2A1）（V）：6.82
最小ブレークダウン電圧（VBR A1A2）（V）：16.7～22.2
最大ブレークダウン電圧（A1A2）（V）：18.5～24.5
最大ブレークダウン電圧（A2A1）（V）：7.48
逆スタンドオフ電圧（VR A1A2） （V）：15～20
逆スタンドオフ電圧（VR A2A1） （V）：5.5
最大クランプ電圧（Vc A1A2） （V）：24.05～32.85
最大クランプ電圧（Vc A2A1） （V）：10.5
ピークパルス電流（Ipp A1A2）10×1000μs （A）：12.56～16.63
ピークパルス電流（Ipp A2A1）10×1000μs （A）：33
最大逆リーク電流（Ir A1A2）（Microampere）：1
最大逆リーク電流（Ir A2A1）（Microampere）：400
■入手方法
リテルヒューズ正規代理店にお問い合わせください。リテルヒューズの正規代理店は littelfuse.com でご確認いただけます。
■詳細情報
詳細については、「SMFA非対称シリーズ」の製品ページ（https://www.littelfuse.co.jp/products/tvs-diodes/surface-mount/smfa-asymmetric）をご覧ください。
リテルヒューズについて
リテルヒューズは、持続可能でつながりのある、より安全な世界を実現する、電子部品製造会社です。全世界で 20 か国以上に 1 万 8,000 の従業員を擁し、革新的で信頼のおけるソリューションを設計、提供すべくお客様とも連携しています。10 万社以上のエンドカスタマーに製品を提供し、我々の製品は産業機械向け、輸送機械向け、電子業界向けなどの様々な市場において、毎日、あらゆる場所で利用されています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.com をご覧ください。
本件に関するお問い合わせ
Littelfuse ジャパン合同会社
E-mail：Contact_Japan@littelfuse.com
配信元企業：Littelfuse, Inc.
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