NexGen Power Systemsとゼネラルモーターズが、GaNを活用した電気駆動システムで、エネルギー部門（DoE）賞を受賞
Dream News 2023年07月03日 09:30:00
NexGen垂直GaN半導体、DoEが後援する電気自動車用インバータ駆動システムプロジェクトで使用されることに
カリフォルニア州サンタクララ市, 2023年6月30日 /PRNewswire/ -- 高出力アプリケーション向けの垂直GaN半導体の設計、開発、製造のグローバルリーダーであるNexGen Power Systems, Inc.は、本日、ゼネラルモーターズ（NYSE: GM)との共同プロジェクトが、NexGenの垂直GaN(R)半導体を使用した電気駆動システムの開発に関して、米国エネルギー部門（DoE）から資金を授与されたと発表した。共同開発プロジェクトは、電気自動車の効率、性能、および全体的な持続可能性を高めることを目的としており、パワーエレクトロニクスの設計、モーターの統合、熱管理、電気駆動システムのシステムレベルでの最適化に注力する予定である。
NexGen Power Systems and General Motors to receive Department of Energy (DoE) award for GaN-Based Electric Drive Systems
「DoE賞を通じて、ゼネラルモーターズのような大手自動車メーカーとGaNを活用した電気駆動システムを開発する機会を得られたことを嬉しく思います」と、NexGenの最高経営責任者のシャヒン・シャリフザデは述べ、さらに、「この共同により、垂直GaNを活用したインバーター駆動システムを電気自動車市場に導入するのを支援でき、自動車メーカーが航続距離を改善し、重量を減らし、システムの信頼性を高めるうえで役立ちます。」と話した。
本日の発表は、700Vおよび1200V半導体のエンジニアリングサンプルの入手可能性に関するNexGenの2023年2月の発表に基づく。NexGenの現世代の1200V、1オーム、垂直GaN eモードFin-jFETは、1.4kVの定格電圧で>1MHzスイッチングの実証に成功しており、NexGenデバイスは電気自動車市場における継続的な性能、信頼性、効率の向上にとって重要となる。
NexGen Power Systemsについて：
NexGen Power Systemsは、革新的な高出力アプリケーションおよび電力変換システム向けのNexGen垂直GaN(R)半導体を設計、開発、製造している。垂直GaN技術に関するNexGenの独創的な特許ポートフォリオには、垂直GaNデバイスアーキテクチャ、プロセス技術、および回路における100種類以上の基本特許を有している。NexGenはカリフォルニア州サンタクララに本社を置き、ニューヨーク州シラキュースの施設で米国でNexGen垂直GaN(R)半導体を製造している。詳細については、当社ウェブサイトをご覧くださ：https://www.nexgenpowersystems.com
写真：https://mma.prnasia.com/media2/2144598/DoE_Award_Announcement.jpg?p=medium600
ロゴ：https://mma.prnasia.com/media2/1994733/3868960/NexGenLogo.jpg?p=medium600
配信元企業：NexGen Power Systems
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カリフォルニア州サンタクララ市, 2023年6月30日 /PRNewswire/ -- 高出力アプリケーション向けの垂直GaN半導体の設計、開発、製造のグローバルリーダーであるNexGen Power Systems, Inc.は、本日、ゼネラルモーターズ（NYSE: GM)との共同プロジェクトが、NexGenの垂直GaN(R)半導体を使用した電気駆動システムの開発に関して、米国エネルギー部門（DoE）から資金を授与されたと発表した。共同開発プロジェクトは、電気自動車の効率、性能、および全体的な持続可能性を高めることを目的としており、パワーエレクトロニクスの設計、モーターの統合、熱管理、電気駆動システムのシステムレベルでの最適化に注力する予定である。
NexGen Power Systems and General Motors to receive Department of Energy (DoE) award for GaN-Based Electric Drive Systems
「DoE賞を通じて、ゼネラルモーターズのような大手自動車メーカーとGaNを活用した電気駆動システムを開発する機会を得られたことを嬉しく思います」と、NexGenの最高経営責任者のシャヒン・シャリフザデは述べ、さらに、「この共同により、垂直GaNを活用したインバーター駆動システムを電気自動車市場に導入するのを支援でき、自動車メーカーが航続距離を改善し、重量を減らし、システムの信頼性を高めるうえで役立ちます。」と話した。
本日の発表は、700Vおよび1200V半導体のエンジニアリングサンプルの入手可能性に関するNexGenの2023年2月の発表に基づく。NexGenの現世代の1200V、1オーム、垂直GaN eモードFin-jFETは、1.4kVの定格電圧で>1MHzスイッチングの実証に成功しており、NexGenデバイスは電気自動車市場における継続的な性能、信頼性、効率の向上にとって重要となる。
NexGen Power Systemsについて：
NexGen Power Systemsは、革新的な高出力アプリケーションおよび電力変換システム向けのNexGen垂直GaN(R)半導体を設計、開発、製造している。垂直GaN技術に関するNexGenの独創的な特許ポートフォリオには、垂直GaNデバイスアーキテクチャ、プロセス技術、および回路における100種類以上の基本特許を有している。NexGenはカリフォルニア州サンタクララに本社を置き、ニューヨーク州シラキュースの施設で米国でNexGen垂直GaN(R)半導体を製造している。詳細については、当社ウェブサイトをご覧くださ：https://www.nexgenpowersystems.com
写真：https://mma.prnasia.com/media2/2144598/DoE_Award_Announcement.jpg?p=medium600
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配信元企業：NexGen Power Systems
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情報提供元： Dream News