CMPに代わる新たなSiCプラズマ前処理技術: ティア1SiC半導体製造工程の適用に向けて試行を開始

Oxford Instrumentsは、この度、エピキタキシャル向けSiC基板前処理工程の非接触プラズマエッチング法を開発いたしました。当該技術は従来のChemical Mechanical Polishing （以下、CMP）と比較して、運用コストを抑え、かつ歩留まりを向上します。また、プロセスウィンドウがより薄いウェハの換装を効率的にサポートする為、インゴッド当たりのウェハ増加にも貢献いたします。ティア1SiC半導体工場における実行検証プロジェクトでは、ホールウェハを使用し、本プラズマ基板処理技術の性能は、エピキタキシャル向けの前処理としても従来のCMPと同等の性能であると結論づけました。

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Oxford Instruments Plasma Technologyのストラテジック・ビジネス・ディベロップメント・ディレクターであるKlaas Wisniewski氏は次のように述べています。「この度の検証結果は費用対効果の高さを証明しました。持続可能なSiC基板製作技術を開発する我々の目標達成に向けて、重要なマイルストーンになったと言えるでしょう。また、当社のプラズマ前処理技術のポテンシャルは高く、従来技術と比較しても遜色なく、基板生産量を飛躍的に向上させます。今後、高成長市場であるSiC基板の需要増加にも対応できる可能性を持っています。」

Oxford Instruments plc. Plasma Technology は2022年9月11日から16日にダボス（スイス）で開催される国際会議ICSCRM/ECSCRMで、PPDFプロセスを公式に発表いたします。会議のテクニカル折衝では、商業向けファウンドリパートナーが製造してウェハから、特許取得のPPDFプロセスを活用した最新のエピタキシャルウェハ、デバイスの事例を発表いたします。また、工場へのPPDE導入も会場でご相談も承っております。

本プレスリリースは、イギリス時間8月29日に発表した『SiC Plasma Epi Prep Alternative to CMP is Validated: Oxford Instruments Complete Feasibility Study at Tier 1 SiC Semi Fab』の抄訳です。





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