リテルヒューズ初の1700V、1オームのSiC MOSFETを発表 電気自動車やハイブリッド自動車、データセンター、予備電源などのアプリケーションに最適

回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、SiC MOSFET製品のラインナップを拡大し、当社初となる1700VのSiC MOSFET「LSIC1MO170E1000シリーズ」を、本年10月上旬より発売します。

【画像 http://www.dreamnews.jp/?action_Image=1&p=0000182257&id=bodyimage1】

SiC MOSFETは、電気自動車、ハイブリッド自動車、データセンター、予備電源など多くの条件が必要となるアプリケーションに最適で、同等の定格を持つシリコンMOSFETよりも高効率、電力密度の上昇、冷却装置の簡素化、システム全体のコスト軽減など、システムの最適化が可能です。また、システムの小型化やエネルギー効率化、コスト低減を可能にします。
「LSIC1MO170E1000シリーズ」は既存アプリケーションを改善し、当社のアプリケーションサポートは新しいデザイン・インプロジェクトを支援します。同等の定格のIGBTと比べ、サイクルごとのスイッチング損失を低減し、軽負荷効率を向上します。さらに、同等の定格のシリコンMOSFETよりも、阻止電圧、特定のオン抵抗、接合容量において同様のシリコンMOSFETを凌ぐ高い性能を発揮します。

同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。


■特長
・高周波、高効率アプリケーションに最適化
・極めて低いゲート電荷および出力容量
・高周波スイッチングに適した低ゲート抵抗

■用途
ソーラーインバーター、スイッチモード電源、UPS（無停電電源装置）、モータードライブ、高電圧DC-DCコンバーター、IH

■仕様
定格電圧（V）：1700
通常オン抵抗 （mOhm）：750
定格電流 （A）：3.5
最大動作温度（度）：150
駆動電圧（V）：20/-5
スイッチングエネルギー （uJ）：84
ゲート電荷（nC）：15
構成：N-Channel
パッケージタイプ：TO-247-3L

※詳細については、「LSIC1MO170E1000シリーズ」（http://www.littelfuse.co.jp/products/power-semiconductors/silicon-carbide/sic-mosfets/lsic1mo170e1000.aspx）の製品ページをご覧ください。




リテルヒューズ について
1927年創立の Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、回路保護分野におけるグローバルリーダーで、電力制御およびセンサー技術での先進性を確かなものにしつつあります。 同社は、ヒューズ、セミコンダクタ、ポリマー、セラミック、リレーおよびセンサーといった技術を必要とする電子機器、自動車および工業市場において世界中のお客様にサービスを提供しています。リテルヒューズは、世界各国の50 カ所を超える拠点に1万1,000人以上の従業員を抱えています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。

本製品に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
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