1.調査期間:2017年4月~9月
2.調査対象:ワイドバンドギャップ半導体単結晶メーカー、研究機関等
3.調査方法:当社専門研究員による直接面談、ならびに文献調査併用
4.発刊日:2017年9月22日

<ワイドバンドギャップ半導体単結晶とは>
本調査におけるワイドバンドギャップ半導体単結晶とは、シリコン(Si)より大きなバンドギャップを持つ半導体(化合物半導体)単結晶を指し、パワー半導体などの次世代材料として期待されている炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム(Ga2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、ダイヤモンドを対象とする。

◆2017年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場は96億400万円と予測
◆市場の成長を左右する“造る”技術と“活かす”技術、この2つが成長エンジンとなる
◆2023年のワイドバンドギャップ半導体単結晶市場は153億円規模に拡大すると予測

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情報提供元: Dream News