リテルヒューズ初のSiC MOSFETを発売 パワーエレクトロニクスで超高速スイッチングを実現 高温度下でも極めて低いスイッチング損失、高効率で優れた堅牢性を提供

回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、当社初のSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080シリーズ」を、本年10月下旬より発売します。

「LSIC1MO120E0080 シリーズ」は、定格電圧1200Vと極めて低い抵抗値（80mOhm）を備えた、当社の成長分野であるパワー半導体の最新製品です。従来のパワートランジスタでは実現できなかった、極めて低いスイッチング損失と超高速スイッチング速度を両立できるため、高周波スイッチングアプリケーションに最適です。同定格のシリコンデバイスと比較して、パワーエレクトロニクスシステムのサイズや重量を抑えながらも、エネルギー効率と電力密度の大幅な向上が可能。高い動作温度（150度）においても優れた堅牢性と性能を提供します。また、SiC MOSFETアプリケーション支援ネットワークでは、新しい電力変換装置の開発を支援するだけでなく、既存製品の性能の向上をサポートします。

リテルヒューズは、パワー半導体分野の強化を目指し、今年3月に、高い評価を持つSiC技術開発企業であるモノリスセミコンダクター社（Monolith Semiconductor Inc.）への大幅な投資を行いました。「LSIC1MO120E0080シリーズ」は、このパートナーシップによって設計と開発、製造された最初のSiC MOSFETです。

同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。


■特長
●超高速スイッチングにより、エネルギー効率と電力密度を大幅に向上。
●高いスイッチング周波数を可能にする低スイッチング損失。
●高い動作温度範囲により、広範囲な高温アプリケーションにおいてもデバイスの優れた堅牢性を保証。

■用途
ソーラーインバーター、スイッチモード電源、UPS（無停電電源装置）システム、モータードライブ、高電圧DC-DCコンバーター、充電器、IH機器などの電力変換システム

■仕様
定格電圧（V）：1200
通常オン抵抗 （mOhm） ：80
定格電流 （A）：25
最大動作温度（度）：150
駆動電圧（V）：20/-5
スイッチングエネルギー （uJ）：330
ゲート電荷（nC）：95
構成：N-Channel
パッケージタイプ：TO-247-3L

※詳細については、「LSIC1MO120E0080シリーズ」の製品ページ（http://www.littelfuse.co.jp/products/power-semiconductors/silicon-carbide/silicon-carbide-mosfets/lsic1mo120e0080.aspx）をご覧ください。




リテルヒューズ について
1927年創立の Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、回路保護分野におけるグローバルリーダーで、電力制御およびセンサー分野での世界的な躍進を確かなものにしつつあります。 同社は、ヒューズ、セミコンダクタ、ポリマー、セラミック、リレーおよびセンサーといった技術を必要とする電子機器、自動車および工業市場において世界中のお客様にサービスを提供しています。リテルヒューズは、北南米やヨーロッパ、アジアの40 カ所を超える拠点に1万人以上の従業員を抱えています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。

本製品に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
担当：宗形
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