新プラットフォームを採用した新製品 1200Vのシリコンカーバイドショットキーダイオード「GEN2シリーズ」を発売 MPS構造により、サージ能力の向上とリーク電流の低減を実現

回路保護分野におけるグローバルリーダー、リテルヒューズ・インク （本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）の日本法人であるLittelfuseジャパン合同会社（本社：東京都港区）は、モノリス・セミコンダクター社と共同開発した新プラットフォームを基板にした新シリーズ、シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード「GEN2シリーズ」を、本年6月下旬より発売します。




「GEN2 シリーズ」は、サージ能力の向上とリーク電流の低減が可能です。従来のシリコンパワーダイオードと比較して、システムレベルのコストを抑えて変換効率と電力密度を大幅に向上するほか、スイッチング損失を大幅に低減できるため、パワーエレクトロニクスシステムの効率性と堅牢性を大幅に改善します。また、熱暴走することなく高サージ電流に対応し、シリコンダイオードよりも高い接合温度での動作が可能。さらに、クラス最高の電荷蓄積量と順電圧降下を提供します。

同製品は、当社の国内販売代理店を通じて販売します。

■特長
●クラス最高の電荷蓄積量と高速な逆回復時間により、高周波電力スイッチングに最適化。また、スイッチング損失が少ないため、逆方向スイッチングのストレスを低減。
●クラス最高の順電圧降下により導通損失を抑制。
●最高175度の接合部温度により、幅広い設計が可能になり温度管理要件を緩和。

■用途
力率補正（PFC）、DC-DCコンバーターのバックステージやブーストステージ、スイッチモード電源、太陽光インバーター、無停電電源装置、工業用モータードライブ、EV 充電ステーション

■仕様
ピーク繰返し逆電圧（VRRM）（V）：1200
順電圧降下（VF）（V）：1.5
逆電流（IR）（μA）：100
ピーク順サージ電流（IFSM）（A）：40～80
全容量電荷（QC）（nC）：30～57
パッケージタイプ：TO220-2L、TO252-2L
最大接合部温度（TJ Max）（度）：175
構成：シングル
平均整流電流（IF）（AV）：17.5～33

※詳細については、GENシリーズの製品ページ（http://www.littelfuse.co.jp/products/power-semiconductors/silicon-carbide/sic-schottky-diode-discretes.aspx）をご覧ください。




リテルヒューズ について
1927年創立の Littelfuse, Inc.（本社：米国イリノイ州シカゴ市、NASDAQ：LFUS）は、回路保護分野におけるグローバルリーダーで、電力制御およびセンサー分野での世界的な躍進を確かなものにしつつあります。 同社は、ヒューズ、セミコンダクタ、ポリマー、セラミック、リレーおよびセンサーといった技術を必要とする電子機器、自動車および工業市場において世界中のお客様にサービスを提供しています。リテルヒューズは、北南米やヨーロッパ、アジアの40 カ所を超える拠点に1万人以上の従業員を抱えています。詳細についてはリテルヒューズのウェブサイトlittelfuse.comをご覧ください。

本製品に関するお問い合わせ
Littelfuseジャパン合同会社
担当：宗形
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