新製品は、当社独自のSOIプロセス(TarfSOI™)を採用し、TDS4B212MXでは業界トップクラス[注]の高い-3dBバンド幅(差動)27.5GHz(typ.)、TDS4A212MXでは26.2GHz(typ.)を実現しました。これにより、PCIe® 5.0やUSB4®、USB4® Ver.2などの高速差動信号のMux/De-Muxスイッチとして使用できます。
ピン配置は、TDS4B212MXとTDS4A212MXで異なり、TDS4B212MXは、高周波特性に対し最適化したピン配置としました。TDS4A212MXは、基板レイアウトを考慮したピン配置としています。
[注] 2:1 Mux/1:2 De-Muxスイッチとして、2024年7月11日時点、当社調べ。
応用機器
PC、サーバー機器、モバイル機器、ウエアラブル端末など
対応インターフェース: PCIe® 5.0、PCIe® 4.0、PCIe® 3.0、CXL2.0、CXL1.0、USB4® Ver.2、USB4®、USB3.2 Gen2×1、USB3.2 Gen1×1、Thunderbolt™ 4、Thunderbolt™ 3、Thunderbolt™ 2、DisplayPort™ 2.0、DisplayPort™ 1.4、DisplayPort™ 1.3、DisplayPort™ 1.2
新製品の主な特長
PCIe® 5.0やUSB4®などの高速差動信号に対応した高い-3dBバンド幅(差動)
TDS4B212MX: -3dBバンド幅(差動)=27.5GHz(typ.)
TDS4A212MX: -3dBバンド幅(差動)=26.2GHz(typ.)
低い消費電流: Iope=150μA(max)
小型パッケージ: XQFN16(2.4mm×1.6mm(typ.)、t=0.4mm(max))
新製品の主な仕様
品番
| TDS4B212MX
| TDS4A212MX
|
パッケージ
| 名称
| XQFN16
|
サイズ (mm)
| 2.4×1.6 (typ.)、t=0.4 (max)
|
動作範囲
(Ta=-40~85°C)
| 電源電圧 VCC (V)
| 1.6~3.6
|
差動信号電圧 (peak to peak) VI/O(Diff) (V)
| 0~1.8
|
コモン信号電圧 VI/O(Com) (V)
| 0~2.0
|
DC特性
(Ta=-40~85°C)
| スタンバイ電流 ISTB (μA)
| Max
| 10
|
消費電流 Iope (μA)
| Max
| 150
|
高周波特性
(Ta=25°C)
| -3dB バンド幅 (差動) BW(Diff) (GHz)
| Typ.
| 27.5
| 26.2
|
差動挿入損失
DDIL (dB)
| f=5.0GHz
| Typ.
| -0.8
| -0.9
|
f=8.0GHz
| -0.9
| -1.0
|
f=10.0GHz
| -0.9
| -1.1
|
f=12.8GHz
| -1.2
| -1.4
|
f=16.0GHz
| -1.4
| -1.9
|
差動反射損失
DDRL (dB)
| f=5.0GHz
| Typ.
| -17
| -15
|
f=8.0GHz
| -15
| -14
|
f=10.0GHz
| -20
| -17
|
f=12.8GHz
| -17
| -17
|
f=16.0GHz
| -16
| -18
|
差動オフ・アイソレ-ション
DDOIRR (dB)
| f=5.0GHz
| Typ.
| -20
| -20
|
f=8.0GHz
| -17
| -19
|
f=10.0GHz
| -16
| -17
|
f=12.8GHz
| -17
| -12
|
f=16.0GHz
| -14
| -11
|
差動クロスト-ク
DDXT (dB)
| f=5.0GHz
| Typ.
| -56
| -36
|
f=8.0GHz
| -48
| -34
|
f=10.0GHz
| -44
| -32
|
f=12.8GHz
| -39
| -31
|
f=16.0GHz
| -36
| -30
|
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