川崎--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、小・中容量IGBT/MOSFETのゲート絶縁駆動用に薄型SO6Lパッケージのフォトカプラー「TLP5705H」および「TLP5702H」を製品化し、本日から出荷を開始します。




TLP5705Hは、高さが2.3mm(max)の薄型パッケージ(SO6L)でピーク出力電流定格±5.0Aを実現した、当社初の製品です。これにより、電流増幅用バッファー回路を使用する、低容量から中容量以上のインバーターやサーボなどのモデルに対しても、バッファー回路無しでフォトカプラーからIGBT/MOSFETを直接駆動することができ、部品点数削減、セットの小型化に貢献します。


TLP5702Hは、ピーク出力電流定格が±2.5Aです。当社従来のSDIP6パッケージ[注1]のランドパターンに実装可能なSO6Lパッケージにより、当社従来製品[注2]からの置き換えが容易にできます。さらに、SDIP6パッケージ製品よりもパッケージが薄いため、新規の回路設計では、セット基板上の部品配置自由度が向上し、基板裏面への実装や高さ制限のある場所で使用できます。


TLP5702HとTLP5705Hは、最大動作温度定格125℃に対応しており、主要特性の動作温度定格(Ta)を−40から125℃で規格化しました。これにより、熱設計マージンの確保や設計がしやすくなっています。


また、リードフォーミングオプションのSO6L(LF4)パッケージを採用した、TLP5702H(LF4)とTLP5705H(LF4)も製品化しています。


[注1] パッケージの高さ : 4.25mm(max)

[注2] 従来製品 : SDIP6パッケージ TLP700H


■応用機器


産業用機器



  • 汎用インバーター、ACサーボアンプ、PVインバーター、UPSなど


■新製品の主な特長



  • 大きいピーク出力電流定格(@Ta=-40~125℃)

    IOP=±2.5A(TLP5702H)

    IOP=±5.0A(TLP5705H)


  • 薄型SO6Lパッケージ


  • 高い動作温度定格 : Topr(max)=125℃


■新製品の主な仕様











































































































(特に指定のない限り、@Ta=-40~125°C)



品番



TLP5702H



TLP5705H



TLP5702H(LF4)



TLP5705H(LF4)



パッケージ



名称



SO6L



SO6L(LF4)



寸法 (mm)



10×3.84(typ.)、



t : 2.3(max)



11.05×3.84(typ.)、



t : 2.3(max)



絶対最大



定格



動作温度 Topr (°C)



-40~125



ピーク出力電流 IOPH/IOPL (A)



±2.5



±5.0



±2.5



±5.0



電気的



特性



ピークハイレベル



出力電流



IOPH max (A)



@IF=5mA、



VCC=15V、



V6-5=-7V



-2.0



ピークローレベル



出力電流



IOPL min (A)



@IF=0mA、



VCC=15V、



V5-4=7V



2.0



ピークハイレベル



出力電流 (L/H)



IOLH max (A)



@IF=0→10mA、



VCC=15V、



Cg=0.18μF、



CVDD=10μF






-3.5






-3.5



ピークローレベル



出力電流 (H/L)



IOHL min (A)



@IF=10→0mA、



VCC=15V、



Cg=0.18μF、



CVDD=10μF






3.0






3.0



電源電圧 VCC (V)



15~30



供給電流 ICCH、ICCL max (mA)



3.0



スレッショルド入力電流 (L/H)



IFLH max (mA)



5



スイッチング特性



伝搬遅延時間 tpHL、tpLH max (ns)



200



伝搬遅延時間バラツキ



|tpHL–tpLH| max (ns)



50



伝搬遅延スキュー tpsk (ns)



-80~80



コモンモード



過渡耐性



CMH、CML min (kV/μs)



@Ta=25°C



±50



絶縁特性



絶縁耐圧 BVS min (Vrms)



@Ta=25°C



5000



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TLP5702H
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情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝:高ピーク出力電流、薄型パッケージのIGBT/MOSFETゲート駆動用フォトカプラーの発売について