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高性能エンタープライズ/データセンター向けに低遅延で高耐久の大容量ストレージを実現
東京--(BUSINESS WIRE)--#Datacenter--(ビジネスワイヤ) -- キオクシア株式会社は、高性能エンタープライズ/データセンター向けに、PCIe® 4.0に対応し、低遅延で高耐久のストレージクラスメモリ(SCM)「XL-FLASH」を搭載したSSD「KIOXIA(キオクシア) FL6シリーズ」(以下「FL6シリーズ」)のサンプル出荷を本日から開始します。
新製品は、当社の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」技術と1ビット/セルのSLC技術を用いた、当社のSCM「XL-FLASH」を搭載しています。「XL-FLASH」を採用することにより、従来のDRAMとTLCベースのSSDとの間の性能ギャップを埋める低遅延を達成しながら、DRAMに比べてビットあたりのコストを低減した、費用対効果の高い大容量のSSDを実現しました。
PCIe 4.0とNVMe™ 1.4規格に準拠し、デュアルポートに対応した「FL6シリーズ」は、高性能エンタープライズやデータセンターでの、サーバーキャッシュ、ライトロギング、階層化ストレージでのリード/ライトキャッシュなど、レスポンスタイムが重要な用途において低遅延の優れたシステム性能を提供します。
「FL6シリーズ」の主な特長:
[注1] セキュリティ対応モデルのラインアップは、地域によって異なります。
*SSD製品の記憶容量について:1MB (1メガバイト) =1,000,000 (10の6乗) バイト、1GB (1ギガバイト) =1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1TB (1テラバイト) =1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
*PCIeはPCI-SIGの登録商標です。
*NVMeおよびNVMe-oFは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
*その他記載されている社名・製品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
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Tel: 03-6478-2427
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