東芝メモリ株式会社：データ転送の高速化に対応した組込み用途向けフラッシュメモリ新製品の発売について

性能や容量を改善した「Serial Interface NAND」の第二世代製品をラインアップに追加

東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝メモリ株式会社は、民生機器、産業機器、通信機器など幅広いアプリケーションの組込み用途向けの、シリアル・ペリフェラル・インターフェース（SPI）と互換性を持ったNAND型フラッシュメモリ「Serial Interface NAND」のラインアップに、データ転送の高速化に対応し、当社既存製品に比べて動作周波数などの性能や記憶容量の改善を行った第二世代製品を新たに加えます。本日からサンプル出荷を順次開始し、10月以降量産を行っていく予定です。

IoT機器や通信機器では、機器の小型化に伴い、少ない端子数で高速データ転送が可能な小型パッケージの大容量メモリへの要求が高まっています。当社の「Serial Interface NAND」は、SLC NAND型フラッシュメモリのインターフェースを、汎用インターフェースとして普及しているSPIと互換にしており、少ない端子数、小型パッケージで大容量メモリを使用することが可能です。

新製品の「Serial Interface NAND」第二世代品は、データ転送の高速化を実現するため新たに動作周波数133MHzのサポートやプログラム動作時のx4モードに対応しています。また、メモリの大容量化の要求に応えるため、新たに8ギガビット（1ギガバイト）の製品をラインナップに加えました。

・新製品の概要：

型名	容量	I/O	電圧	パッケージ	量産開始時期
TC58CVG0S3HRAIJ	1Gbit	x1、x2、x4	3.3V	8pin WSON[注1] (6mm x 8mm)	2019年10月
TC58CYG0S3HRAIJ			1.8V		2019年10月
TC58CVG1S3HRAIJ	2Gbit		3.3V		2019年10月
TC58CYG1S3HRAIJ			1.8V		2019年10月
TC58CVG2S0HRAIJ	4Gbit		3.3V		2019年10月
TC58CYG2S0HRAIJ			1.8V		2019年10月
TH58CVG3S0HRAIJ	8Gbit		3.3V		2019年12月
TH58CYG3S0HRAIJ			1.8V		2019年12月

・新製品の主な仕様：

容量	1Gbit、2Gbit、4Gbit、8Gbit
ページサイズ	2KByte (1Gbit, 2Gbit)、4KByte (4Gbit, 8Gbit)
インターフェース	シリアル・ペリフェラル・インターフェース Mode 0、Mode 3
電源電圧	2.7～3.6V、1.7～1.95V
動作温度範囲	-40℃～85℃
特長	・動作周波数 133MHz対応 ・プログラム / リード動作時のx4モード対応 ・高速シーケンシャルリード機能 ・ECC処理機能　(ON/OFF可能、信頼性管理用情報の出力が可能) ・データ保護機能　(特定ブロックの保護が可能) ・パラメータページ機能　(デバイスの詳細情報の出力が可能)

［注1］WSON：Very-Very thin Small Outline No Lead Package

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