新しい第3世代のGaN-on-Si FETは、3相の広範な産業用電源および自動車コンバーターに電力を供給

米カリフォルニア州ゴリータ--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 最高の信頼性の高電圧(HV)窒化ガリウム(GaN)半導体の設計・製造でリードするトランスフォームは本日、当社にとって2番目の900V FETとなる第3世代のTP90H050WSを発表しました。これにより、業界唯一の900V GaN製品ラインが強化されます。これらのデバイスにより、GaNの速度・効率・電力密度を活用する3相の産業用システムと高電圧化した車載電子機器が実現できるようになっています。さらに、この新しいFETプラットフォームは、トランスフォームの先行製品でJEDECとAEC-Q101に準拠した唯一のHV GaN技術である650V製品がベースになっています。そのため、システム開発者は品質と信頼性に自信を持って設計ができます。




TP90H050WSは、過渡電圧定格が1000V、標準オン抵抗が50mOhmで、標準的なTO-247パッケージで提供されます。99%を超える効率を維持しながら、一般的なハーフブリッジで8kWの出力レベルに達することができます。Ron*Qoss（共振スイッチングトポロジー）とRon*Qrr（ハードスイッチングブリッジトポロジー）の性能指数は、製造中の一般的なスーパージャンクション技術よりも2～5倍低くなっています。これはスイッチング損失の大幅な削減を意味します。JEDEC認定バージョンは2020年第1四半期の予定ですが、お客さまは今すぐ900V GaNの電源システムを設計することが可能です。



トランスフォーム初の900Vデバイスであり、170mOhmの標準オン抵抗、TO-220パッケージのTP90H180PSは、 JEDECに準拠し、2017年よりデジキーで販売されています。99%のピーク効率に達することができ、3.5kW単相インバーターに対する適合性を示しています。



新しい高電圧アプリケーションでGaNの実現可能性を確立



トランスフォームの共同設立者で最高執行責任者（COO）のプリミット・パリクは、次のように述べています。「トランスフォームの最新の900V GaN製品は、業界で初めて1キロボルトの目標に達しており、商用GaNパワートランジスターにとっては重要な節目となる成果です。これにより、こうした高電圧ノードでGaNが実現可能な選択肢になる道が開かれます。この取り組みは、早期リスクの低減についてはARPA-Eから、初期製品認定についてはパワーアメリカから部分的に資金提供を受けており、GaNの市場採用を加速させる官民パートナーシップの成功例となっています。」



トランスフォームの900Vプラットフォームでは、再生可能エネルギー、自動車、各種の幅広い産業アプリケーションなど、すでに当社が650V FETで対象としているシステムにおいて、絶縁破壊の水準が高くなっています。このプラットフォームはブリッジレストーテムポール力率補正(PFC)、DC／DCのコンバーターおよびインバーターに使用されるハーフブリッジ構成に導入できるように設計されています。これらのトポロジーをより高電圧でサポートする能力を備えたことで、高バッテリー電圧ノードでの連続電力供給や車載充電器／コンバーターなど、多彩な3相産業アプリケーションにトランスフォームの対象アプリケーションが拡大します。



プロジェクトに部分的に資金提供しているパワーアメリカの事務局長代理兼最高技術責任者（CTO）のビクター・ベリアディス氏は、次のように述べています。「900V GaNパワーデバイスは、GaN半導体が現時点でサポートしていないアプリケーションを利用する際の障壁を取り除きます。今回の900Vプラットフォームのような革新成果により、トランスフォームは業界を前進させ、新たな顧客機会を生み出しています。」



TP90H050WSには、上記の差別化機能のほかに下記の利点があります。




  • 市販のドライバーで簡単に駆動


  • 堅牢な安全ゲートのマージン


  • 現行のシリコン技術よりも高い電力密度


  • IGBTのスーパージャンクションを上回る性能


  • システム全体のコストの削減


  • システム重量の削減



提供について



サンプル出荷中です。部品を注文するには、TP90H050WSの製品ページをご覧ください。



設計リソース




トランスフォームについて



トランスフォームは高電圧電力変換用途向けに、最高の性能と信頼性を備えた650Vおよび900VのGaN半導体の設計と製造を行っています。1000件超の特許を保有する当社は、JEDECおよびAEC-Q101に準拠した業界初のGaN FETを生産しています。



本記者発表文の公式バージョンはオリジナル言語版です。翻訳言語版は、読者の便宜を図る目的で提供されたものであり、法的効力を持ちません。翻訳言語版を資料としてご利用になる際には、法的効力を有する唯一のバージョンであるオリジナル言語版と照らし合わせて頂くようお願い致します。


Contacts


Heather Ailara

211 Communications

+1.973.567.6040

heather@211comms.com

情報提供元： ビジネスワイヤ
記事名：「 トランスフォーム、2番目のFETで900V GaNポートフォリオを拡大 」