東芝メモリ株式会社：業界初、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したSSDの出荷について
東京--(BUSINESS WIRE)--（ビジネスワイヤ） -- 東芝メモリ株式会社は、業界で初めて[注１]、
96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリを搭載したSSDを開発し、本日から一部のOEM顧客向けに出荷を開始します。2018年第4四半期(10月~12月)以降、順次出荷を拡大していく予定です。
新製品「XG6シリーズ」は、PCI Express® (PCIe®) Gen3 x 4レーンとNVM
ExpressTM (NVMeTM)
1.3aに対応したクライアント向けSSDです。当社第4世代3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASHTM」の技術とSLCキャッシュの特性の組み合わせにより、当社前世代製品「XG5シリーズ」に対し性能の改善を行い、シーケンシャルライト性能は業界トップクラス[注2]の最大2960MB/ｓ[注3]を実現しました。
また、シーケンシャルリードでは最大3180MB/s[注3]、ランダム性能はリードで最大355,000 IOPS[注4]、ライトで最大365,000
IOPS[注4]の転送速度を実現します。さらに高速化と共に、アクティブ消費電力は最大4.7W[注5]、最も低電力モード時の待機電力は3mW[注6]を実現し、低消費電力を必要とするモバイルPCなどに適しています。
「XG6シリーズ」は、M.2 2280-S2の片面実装タイプのフォームファクタで、256GB、512GB、1024GB[注7]の3種類の記憶容量モデルをラインアップします。さらに、TCG
Opal Version
2.01を採用した自己暗号化機能付モデル[注8]も用意し、パフォーマンスを重視するウルトラモバイルPCからデータセンター・エンタープライズ環境のブート用途まで、幅広い分野に対応します。
なお、新製品は8月7日から9日まで米国サンタクララで開催される「Flash Memory Summit 2018」のToshiba Memory
Americaブース（ホールＡ、＃307）に展示します。
* PCI Express、PCIe は、PCI-SIGの登録商標です。
* NVM Express、NVMeはNVM
Express, Inc.の商標です。
*
その他、本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が登録商標または商標として使用している場合があります。
[注1] 2018年7月24日現在、東芝メモリ株式会社調べ。
[注2] 2018年7月24日現在、東芝メモリ株式会社調べ。
[注3]
記録容量1024 GBのモデルに対して、128
KiB単位でのリード/ライトを当社の試験環境において実施した際の性能です。性能は容量によって異なります。1
MB(1メガバイト)＝1,000,000（10の6乗）バイトによる算出値です。1KiB（キビバイト）=1024（2の10乗）バイトによる算出値です。
[注4]
記録容量1024
GBのモデルに対して、4KiB単位でのリード/ライトを当社の試験環境において実施した際の性能です。性能は容量によって異なります。IOPSは1秒間に読み書き操作ができる回数です。
[注5]
記録容量1024 GBのモデルに対して、当社の試験環境において実施した際のティピカルアクティブライト電力です。
[注6]
PCIeのLink power management stateがL1.2であり、最も消費電力が低いモードを採用した場合の消費電力です。
[注7]
記憶容量：1GB(1ギガバイト）＝1,000,000,000（10の9乗）バイトによる算出値です。1GB=1,073,741,824(2の30乗）バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
[注8]
自己暗号化機能付きモデルのラインアップは、地域によって異なります。
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