東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、LEDヘッドライト駆動用などに適した、1パッケージに2回路搭載でESD耐量に優れたMOSFET「SSM6N813R」を製品化し、4月に量産を開始します。








新製品は、耐圧(VDSS)100Vまで対応しており、車載ヘッドライト用としてLEDが複数個使用される回路に適しています。最先端の微細プロセスチップをTSOP6Fパッケージに搭載したことにより、高許容損失(1.5W)、低Ronの製品が実現できました。また、TSOP6F
パッケージはSOP8パッケージと比較して実装面積を70%削減することが可能です。



高ESD耐量特性により、車載用途をはじめとして幅広い用途への応用が可能です。特に、高耐圧と実装面積の低減が求められるLEDヘッドライト駆動回路の使用に適しています。



応用機器




  • 車載向け LEDヘッドライト駆動用



新製品の主な特長




  • 小型パッケージ製品


  • 高ESD耐量品


  • 低Ron





































































 


新製品の主な仕様




 (@Ta=25℃)




項目
(Ta=25℃)



 

SSM6N813R

絶対最大定格

 


ドレイン・ソース間電圧
VDSS (V)




100



ゲート・ソース間電圧
VGSS (V)





+/-20





ドレイン電流
ID (A)




3.5

電気的特性



ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(ON) max
(mΩ)



 


VGS=10V




112




VGS=4.5V




154



入力容量
Ciss typ. (pF)




242

パッケージ

 

TSOP6F

 

2.9mm×2.8mm;t=0.8mm

 


東芝の小型・低オン抵抗MOSFETの詳細については下記ページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/mosfet/small-mosfet.html



お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
小信号デバイス営業推進部
Tel: 03-3457-3411
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html



*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。




Contacts


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel:
03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp

情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝:LEDヘッドライト駆動用に適した小型高ESD耐量MOSFETの発売について