~サージ電流耐量と効率性能指数を同時に改善した当社第2世代チップを、初めて表面実装パッケージに搭載~


東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、シリコンカーバイド(SiC)を採用したショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、表面実装パッケージ6製品をラインアップに追加し、本日から量産出荷を開始します。








当社はこれまでリード挿入パッケージのSiC
SBD製品を量産、販売してきましたが、セットの小型化、薄型化実現という市場要求に応えるため、表面実装パッケージ(通称名:DPAK)を当社として初めて製品化しました。



新製品は、当社最新の第2世代チップを搭載しており、サージ電流耐量(IFSM)と効率性能指数(VF・Qc[注])を同時に改善し、破壊しにくく低損失な特長を兼ね備えています。
低損失な本製品を採用することで、セットの効率向上、放熱設計の簡素化が図れます。



当社は今後もラインアップの充実を図り、通信機器、サーバ、インバータなどの高効率化、小型化の実現に貢献していきます。



[注] Qc:接合容量Cjの0.1V~400V間 総電荷量



新製品の主な特長




  • サージ電流耐量が高い ・・ 電流定格IF(DC)の約7~9.5倍を実現


  • 性能指数VF・Qが小さい ・・ 第1世代品に対し約2/3化を達成し、高効率化を実現


  • 表面実装パッケージ ・・ 実装工程自動化、セットの小型・薄型化に貢献



応用機器



高効率電源のPFC回路部を中心に民生から産業まで幅広く応用可能です。




  • 最終セットへの応用
    民生・OA用途: 4K大型スクリーン用液晶&OLED TV電源、プロジェクタ電源、複合複写機用電源など
    産業用途
    : 通信基地局用電源、PCサーバ用電源、太陽光マイクロインバータなど




  • 回路部への応用
    力率改善回路(PFC)
    マイクロインバータ回路
    チョッパー回路(数百W以上の各種電源装置)
    スイッチング素子のフリーホイールダイオード部








































































































































































































































 


主要特性



パッケージ

 

項目名

 

絶対最大定格

 

電気的特性



直流
順電流

 


非繰り返し
ピーク
順電流



 


許容
損失



 


接合
温度




順電圧

 


効率
性能
指数



 


接合
容量



 



電荷量




記号


IF(DC)


IFSM


Ptot


Tj


VF


VF・QC


Cj


QC


単位



(A)





(A)




(W)



(℃)




(V)



(V・nC)





(pF)





(nC)







最大


最大


最大


最大





標準


標準


標準



品名/条件








正弦
半波
t=10ms




Tc=25℃





IF =IF(DC)





VR=1V


VR=400V

表面実装


DPAK



TO-252
相当




TRS2P65F


2


19


34.0


175


1.45


(標準)





1.60



(最大)




8.4


85


5.8


TRS3P65F


3


26


37.5




11.7


120


8.1


TRS4P65F


4


33


41.0




15.1


165


10.4


TRS6P65F


6


45


48.3




21.9


230


15.1


TRS8P65F


8


58


55.5




28.6


300


19.7

 

TRS10P65F

 

10

 

70

 

62.5

 

 

 

35.4

 

400

 

24.4

 


新製品を含む当社のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記WEBページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html



お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel:03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html



*本資料に掲載されている情報(製品の価格/仕様、サービスの内容及びお問い合わせ先など)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。




Contacts


報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
Tel:
03-3457-4963
e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp



情報提供元: ビジネスワイヤ
記事名:「 東芝デバイス&ストレージ(株):第2世代650V耐圧SiCショットキバリアダイオードに表面実装パッケージ製品を追加