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~サージ電流耐量と効率性能指数を同時に改善した当社第2世代チップを、初めて表面実装パッケージに搭載~
東京--(BUSINESS WIRE)--(ビジネスワイヤ) -- 東芝デバイス&ストレージ株式会社は、シリコンカーバイド(SiC)を採用したショットキバリアダイオード(SBD)の新製品として、表面実装パッケージ6製品をラインアップに追加し、本日から量産出荷を開始します。
当社はこれまでリード挿入パッケージのSiC
SBD製品を量産、販売してきましたが、セットの小型化、薄型化実現という市場要求に応えるため、表面実装パッケージ(通称名:DPAK)を当社として初めて製品化しました。
新製品は、当社最新の第2世代チップを搭載しており、サージ電流耐量(IFSM)と効率性能指数(VF・Qc[注])を同時に改善し、破壊しにくく低損失な特長を兼ね備えています。
低損失な本製品を採用することで、セットの効率向上、放熱設計の簡素化が図れます。
当社は今後もラインアップの充実を図り、通信機器、サーバ、インバータなどの高効率化、小型化の実現に貢献していきます。
[注] Qc:接合容量Cjの0.1V~400V間 総電荷量
新製品の主な特長
応用機器
高効率電源のPFC回路部を中心に民生から産業まで幅広く応用可能です。
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パッケージ | 項目名 | 絶対最大定格 | 電気的特性 | |||||||||||||||
直流 順電流 |
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| 順電圧 |
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記号 | IF(DC) | IFSM | Ptot | Tj | VF | VF・QC | Cj | QC | ||||||||||
単位 |
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| (W) |
| (V) |
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値 | 最大 | 最大 | 最大 | 最大 | - | 標準 | 標準 | 標準 | ||||||||||
| - |
| Tc=25℃ | - | IF =IF(DC) | - | VR=1V | VR=400V | ||||||||||
表面実装
| TRS2P65F | 2 | 19 | 34.0 | 175 | 1.45
| 8.4 | 85 | 5.8 | |||||||||
TRS3P65F | 3 | 26 | 37.5 | 11.7 | 120 | 8.1 | ||||||||||||
TRS4P65F | 4 | 33 | 41.0 | 15.1 | 165 | 10.4 | ||||||||||||
TRS6P65F | 6 | 45 | 48.3 | 21.9 | 230 | 15.1 | ||||||||||||
TRS8P65F | 8 | 58 | 55.5 | 28.6 | 300 | 19.7 | ||||||||||||
TRS10P65F | 10 | 70 | 62.5 | 35.4 | 400 | 24.4 | ||||||||||||
新製品を含む当社のSiCショットキバリアダイオード製品の詳細については下記WEBページをご覧ください。
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/diode/sic.html
お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
パワーデバイス営業推進部
Tel:03-3457-3933
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/contact.html
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報道関係の本資料に関するお問い合わせ先:
東芝デバイス&ストレージ株式会社
デジタルマーケティング部
長沢千秋
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e-mail: semicon-NR-mailbox@ml.toshiba.co.jp